篇一：实用新型专利申请书(分立电路)
名称：一种同时匹配的低噪声放大器
说明书摘要
1、本实用新型公开了一种同时匹配的低噪声放大器
(LowNoiseAmplifier-LNA)，特别涉及一种应用在分立电路
(LumpCircuit)设计中的同时匹配的低噪声放大器。为了克服现有技
术中低噪声放大器难以在输入级同时实现噪声匹配和功率增益匹配
的缺陷，本实用新型采用了由有源器件、源简并电感
(SourceDegenerationInductance)、输入匹配电路、输出匹配电路
和直流偏置电路所构成的低噪声放大器。放大器首先通过一个源简
并电感L串联在MOS管的源极和地电位之间用来提供串联负反馈效
s
应，使得MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的
共轭；然后利用一个输入匹配网络，将MOS管的栅极匹配到信号源，
从而使得低噪声放大器的输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹
配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数NF，而且实现了
min
功率的最大传输；最后利用一个输出匹配网络，实现有源器件的输
第1页共24页
出端口与负载之间的匹配。本实用新型方法简单，能够很好地被设
计者掌握并应用到实际设计中。
2、摘要附图
3、权利要求书
4、一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，用分立电路
(LumpCircuit)实现，即利用分立的有源和无源元器件制作在射频电
路板上来实现低噪声放大器的设计，并且在输入级能够同时实现噪
声匹配和功率增益匹配设计。
5、如权利要求1所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在
于，由有源器件、源简并电感(SourceDegenerationInductance)、
输入匹配电路、输出匹配电路和直流偏置电路构成。
如权利要求2所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，
有源器件由共源结构的MOS管所组成，即MOS管的栅极作为输入端
口，漏极作为输出端口，源极作为公共端口；源简并电感连接在
L
MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极
第2页共24页
的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容和电感L
C
11
组成一个L型输入匹配网络，其中一端与MOS管栅极相连，另一端
与隔直电容C相连接，C的另一端与信号输入端连接；电容C和电
332
感组成一个L型输出匹配网络，其中一端与MOS管漏极相连，另
2
一端与隔直电容C相连接，C的另一端与信号输出端连接；两路直