半导体材料包括三大类：1、单元素半导体材料，即以单一元素构成的半导体材料，主要包括硅（Si）、锗（Ge），其中硅基半导体材料是目前产量最大、成本最低、应用最广的半导体材料；2、III-V族化合物半导体材料，即以III-V族元素的化合物构成的半导体材料，主要包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），具有电子迁移率高、光电性能好等特点，是当前仅次于硅之外最成熟的半导体材料，在5G通信、数据中心、光纤通信、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天方面有广阔的应用前景；3、宽禁带半导体，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表，具有高禁带宽度、耐高压和大功率等特点，在通信、新能源汽车等领域前景广阔，但目前成本较高。
2.光通信用光芯片分类◆光芯片按功能可以分为激光器芯片和探测器芯片，其中激光器芯片主要用于发射信号，将电信号转化为光信号，探测器芯片主要用于接收信号，将光信号转化为电信号。◆激光器芯片按出光结构可进一步分为面发射芯片和边发射芯片，面发射芯片包括VCSEL芯片，边发射EEL芯片包括FP、DFB和EML芯片；探测器芯片，主要有PIN和APD两类。◆激光器芯片按照材料体系划分，可以分为砷化镓GaAs和磷化铟Inp两套材料体系。
3.磷化铟光芯片：分类及下游应用◆按导电性能，InP衬底主要分为半导电和半绝缘衬底
半导体衬底分为N型和P型半导电衬底：1）N型掺SnInP主要用于激光二极管。2）N型掺S的InP不仅用于激光二极管，而且还用于光探测器。3）P型掺ZnInP主要用于高功率激光二极管。半绝缘衬底按照是否掺杂分为掺杂半绝缘衬底和非掺杂半绝缘衬底，半绝缘衬底主要用于制作射频器件。
◆从全球磷化铟衬底应用情况来看，据Yole数据显示，2020年光模块器件、传感器件、高端射频器件三者销量占比分别为83%、4%和14%光模块器件和高端射频器件是磷化铟下游主要的应用。
4.光通信系统中的光芯片位置及应用结构图◆光通信是以光信号为信息载体，以光纤作为传输介质，通过电光转换，以光信号进行传输信息的系统。光通信系统传输信号过程中，发射端通过激光器芯片进行电光转换，将电信号转换为光信号，经过光纤传输至接收端，接收端通过探测器芯片进行光电转换，将光信号转换为电信号。◆光芯片加工封装为光发射组件（TOSA）及光接收组件（ROSA），再将光收发组件、电芯片、结构件等进一步加工成光模块。光芯片的性能直接决定光模块的传输速率，是光通信产业链的核心之一。
5.光芯片及组件：光模块中最大的成本项◆根据中际旭创披露的2016年1-8月光模块成本构成，芯片成本占60-70%（光芯片及组件占50%，比重最大；电芯片成本占15%），人工和其他成本占23%；◆光模块中的芯片包含：光芯片（激光器芯片和探测器芯片）、电芯片（LD驱动芯片、TIA跨阻放大芯片、CDR时钟和数据电路、DSP、MUX&DeMUX等）。