1、晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室？
答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷
2、何谓半导体
答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
3、常用的半导体材料为何
答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)
4、何谓VLSI
答：VLSI(VeryLargeScaleIntegration)超大规模集成电路
5、在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺
答：介电质(Dielectric)
6、薄膜区机台主要的功能为何？
答：沉积介电质层及金属层
7、何谓CVD(ChemicalVaporDep.？
答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程
8、CVD分那几种
答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)
9、为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线
答：良好的导体仅次于铜
10、介电材料的作用为何
答：做为金属层之间的隔离
11、何谓PMD(Pre-MetalDielectric)
答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质
12、何谓IMD(Inter-MetalDielectric)
答：金属层间介电质层。
13、何谓USG
答：未掺杂的硅玻璃(UndopedSilicateGlass)
14、何谓FSG
答：掺杂氟的硅玻璃(FluorinatedSilicateGlass)
15、何谓BPSG
答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicateglass)
16、何谓TEOS
答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅
17、TEOS在常温时是以何种形态存在
答：液体
18、二氧化硅其K值为3.9表示何义
答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍
19、氟在CVD的工艺上，有何应用
答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体
20、简述Endpointdetector之作用原理
答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.
21、机台使用的管件材料主要有哪哪些
答：有不锈钢制(StainlessSteal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种
22、机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何
答：告知所有的人勿操作机台，避免危险
23、机台维修至少两人配合，有何目的
答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生
24、更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作
答：用氦气测漏机来做测漏
25、维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套
答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作
26、何为真空(Vacuum)半导体业常用真空单位是什么
答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空
27、真空Pump的作用？
答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力
28、何谓内部连锁(Interlock)
答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台
29、机台设定许多interlock有何作用
30、WaferScrubber的功能为何
答：移除芯片表面的污染粒子
31、何谓蚀刻(Etch)
答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
32、蚀刻种类
答：(1)干蚀刻(2)湿蚀刻
33、蚀刻对象依薄膜种类可分为
答：poly,oxide,metal
34、半导体中一般金属导线材质为何
答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)
35、何谓dielectric蚀刻(介电质蚀刻)
答：Oxideetchandnitrideetch
36、半导体中一般介电质材质为何
答：氧化硅/氮化硅
37、何谓湿式蚀刻
答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除
38、何谓电浆Plasma
答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压
39、何谓干式蚀刻
答：利用plasma将不要的薄膜去除
40、何谓Under-etching(蚀刻不足)
答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留
41、何谓Over-etching(过蚀刻)
答：蚀刻过多造成底层被破坏
42、何谓Etchrate(蚀刻速率)
43、何谓Seasoning(陈化处理)
答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dumm
44、Asher的主要用途？
答：光阻去除
45、Wetbenchdryer功用为何
答：将晶圆表面的水份去除
46、列举目前Wetbenchdry方法
答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry
47、何谓SpinDryer
答：利用离心力将晶圆表面的水份去除
48、何谓MaragoniDryer
答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除
49、何谓IPAVaporDryer
答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除
50、测Particle时,使用何种测量仪器
答：TencorSurfscan
51、测蚀刻速率时,使用何者量测仪器
答：膜厚计,测量膜厚差值9
52、何谓AEI
答：AfterEtchingInspection蚀刻后的检查
53、AEI目检Wafer须检查哪些项目
答：(1)正面颜色是否异常及刮伤(2)有无缺角及Particle(3)刻号是否正确
54、金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理
答：清机防止金属污染问题
55、金属蚀刻机台asher的功用为何
答：去光阻及防止腐蚀
56、金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗
答：因为金属线会溶于硫酸中
57、"HotPlate"机台是什幺用途
答：烘烤!
58、HotPlate烘烤温度为何
答：90~120度C
59、何种气体为PolyETCH主要使用气体
答：Cl2,HBr,HCl
60、用于Al金属蚀刻的主要气体为
答：Cl2,BCl3
61、用于W金属蚀刻的主要气体为
答：SF6
62、何种气体为oxidevai/contactETCH主要使用气体
答：C4F8,C5F8,C4F6
63、硫酸槽的化学成份为
答：H2SO4/H2O2
64、AMP槽的化学成份为
答：NH4OH/H2O2/H2O
65、UVcuring是什幺用途
答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度
66、"UVcuring"用于何种层次
答：金属层
67、何谓EMO
答：机台紧急开关
68、EMO作用为何
答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下
69、湿式蚀刻门上贴有那些警示标示
答：(1)警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2)机械手臂危险.严禁打开此门(3)化学药剂危险.严禁打开此门
70、遇化学溶液泄漏时应如何处置？
答：严禁以手去测试漏出之液体.应以酸碱试纸测试.并寻找泄漏管路.
71、遇IPA槽着火时应如何处置
答：立即关闭IPA输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组
72、BOE槽之主成份为何
答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).
73、BOE为那三个英文字缩写
答：BufferedOxideEtcher。
74、有毒气体之阀柜(VMB)功用为何
答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出
75、电浆的频率一般13.56MHz,为何不用其它频率
答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz,13.56MHz,2.54GHz等
76、何谓ESC(electricalstaticchuck)
答：利用静电吸附的原理,将Wafer固定在极板(Substrate)上
77、Asher主要气体为
答：O2
78、Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何
答：温度
79、简述TURBOPUMP原理
答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR
80、热交换器(HEATEXCHANGER)之功用为何？
答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地
81、简述BACKSIDEHELIUMCOOLING之原理？
答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化
82、ORIENTER之用途为何？
答：搜寻notch边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题
83、简述EPD之功用
答：侦测蚀刻终点;Endpointdetector利用波长侦测蚀刻终点
84、何谓MFC？
答：massflowcontroler气体流量控制器;用于控制反应气体的流量
85、GDP为何
答：气体分配盘(gasdistributionplate)
86、GDP有何作用？
答：均匀地将气体分布于芯片上方
87、何谓isotropicetch
答：等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等
88、何谓anisotropicetch
答：非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少
89、何谓etch选择比
答：不同材质之蚀刻率比值
90、何谓AEICD
答：蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(CriticalDimension)
91、何谓CDbias
答：蚀刻CD减蚀刻前黄光CD
92、简述何谓田口式实验计划法
答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析
93、何谓反射功率
答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率
94、LoadLock之功能为何
答：Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.
95、厂务供气系统中何谓
答：BulkGas为大气中普遍存在之制程气体,如N2,O2,Ar等.
96、厂务供气系统中何谓InertGas
答：InertGas为一些特殊无强烈毒性的气体,如NH3,CF4,CHF3,SF6等.
97、厂务供气系统中何谓ToxicGas
答：ToxicGas为具有强烈危害人体的毒性气体,如SiH4,Cl2,BCl3等.
98、机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理
答：将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作
99、冷却器的冷却液为何功用
答：传导热
100、Etch之废气有经何种方式处理
答：利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽
101、何谓RPM
答：即RemotePowerModule,系统总电源箱.
102、火灾异常处理程序
答：(1)立即警告周围人员.(2)尝试3秒钟灭火.(3)按下EMO停止机台.(4)关闭VMBValve并通知厂务.(5)撤离.
103、一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序
答：(1)警告周围人员.(2)按Pause键,暂止Run货.(3)立即关闭VMB阀,并通知厂务.(4)进行测漏.
104、高压电击异常处理程序
答：(1)确认安全无虑下,按EMO键(2)确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3)处理受伤人员)
105、T/C(传送TransferChamber)之功能为何
106、机台PM时需佩带面具否
答：是,防毒面具
答：Seasoning(陈化处理)
108、何谓日常测机
答：机台日常检点项目,以确认机台状况正常
109、何谓WAC(WaferlessAutoClean)
答：无wafer自动干蚀刻清机
110、何谓DryClean
答：干蚀刻清机
111、日常测机量测etchrate之目的何在
答：因为要蚀刻到多少厚度的film,其中一个重要参数就是蚀刻率
112、操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施
答：(1)穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2)操作区备有清水与水管以备不时之需(3)操作区备有吸酸棉及隔离带
113、如何让chamber达到设定的温度
答：使用heater和chiller
114、Chiller之功能为何
答：用以帮助稳定chamber温度
115、如何在chamber建立真空
答：(1)首先确立chamberparts组装完整(2)以drypump作第一阶段的真空建立(3)当圧力到达100mTＤ寺再以turbopump抽真空至1mT以下
116、真空计的功能为何
答：侦测chamber的压力,确保wafer在一定的压力下process
117、Transfermodule之robot功用为何
答：将wafer传进chamber与传出chamber之用
118、何谓MTBC(meantimebetweenclean)
119、RFGenerator是否需要定期检验
答：是需要定期校验;若未校正功率有可能会变化;如此将影响电浆的组成
120、为何需要对etchchamber温度做监控
答：因为温度会影响制程条件;如etchingrate/均匀度
121、为何需要注意drypumpexhaustpresure(pump出口端的气压)
答：因为气压若太大会造成pump负荷过大;造成pump跳掉,影响chamber的压力,直接影响到run货品质
122、为何要做漏率测试
答：(1)在PM后PUMPDown1~2小时后;为确保chamberRun货时,无大气进入chamble影响chamberGAS成份(2)在日常测试时,为确保chamber内来自大气的泄漏源,故需测漏
123、机台发生Alarm时应如何处理
124、蚀刻机台废气排放分为那几类
答：一般无毒性废气/有毒酸性废气排放
125、蚀刻机台使用的电源为多少伏特(v)
答：208V三相
126、干式蚀刻机台分为那几个部份
答：(1)Load/Unload端(2)transfermodule(3)Chamberprocessmodule(4)真空系统(5)GASsystem(6)RFsystem