江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓（GaN）系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产，拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验，掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。公司的主要产品有高性能肖特基二极管势垒（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、射频/功率放大器（RFPA）、深紫外发光二极管（UVC-LED）等，这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。江西誉鸿锦材料科技有限公司将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件领域的“中国智造”！
公司简介
公司优势
核心团队
荣誉资质
外延
具有先进的MOCVD外延设备，可提供:
●4”/6”/8”英寸硅基/碳化硅基/蓝宝石基等氮化镓外延片;●650V/900V/1200V各种击穿电压规格外延片;●5G/6G射频外延片;●耗尽型、pGaN增强型及各种定制结构外延片;●外延片厚度2-6微米，不均匀性<土3%;.●外延片翘曲<30微米;●外延片2DEG电子浓度>8E12cm-2;●外延片电子迁移率>1800cm2/V·s;
芯片
具备GAN基的器件研发及生产能力，从芯片的设计到加工已形成了完整的体系。GaN的低损伤干法刻技术；光学增透膜和高反射膜的膜系设计及制备技术；多层金属膜的沉淀及侧壁保护技术；光掩膜版的优化设计及光掩膜的断面成型技术；各种钝化膜的低损伤制备及图形化技术；完整的蓝光，高A组分的UVC一LED制作技术；GaN基探测器，激光器等器件制作技术；GaN基的二端和三端器件的研发和微细加工技术。
封装
领先的集成电路制造和技术服务，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试。
·无机封装·陶瓷封装·金属封装
具备高集成度的晶圆级封装（WLP）、2.5D/3D封装、系统级封装（SiP）、高性能倒装芯片封装和先进的引线键合技术
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四大优势
团队优势
公司拥有第三代半导体材料(GaN)、芯片及器件研发三十余年经验的团队，其中不仅有10余位博士成员，还包括世界上最早从事第三代半导体材料研究、外延生长、器件设计研发产业化等各方面专家。
研发优势
具备全品类，各类衬底上GaN材料生长和流片能力，目前产能已达到1.5万片/月，二期建成产能达到25万片/月，并在性能和成本上占优势；
设备优势
日本大阳日酸株式会社制造的MOCVD设备可以生长高性能氮化镓材料；行业顶级设备数量。
销售优势
公司实现SBD、HEMT、UVC-LED规模化量产，已经与国内大型通讯设备生产商进行联合研发
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