2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。
中科重仪半导体科技有限公司（简称“中科重仪”）作为第三代半导体氮化镓（GaN）材料生产与技术应用的国家级高新技术企业，将携多款MOCVD设备及氮化镓外延片产品亮相此次展会。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临B16号展位参观交流、洽谈合作。
报告嘉宾：
姚威振
中国科学院半导体研究所副研究员
演讲报告：《GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究》
报告简介：GaN基半导体材料具有宽禁带，电子迁移饱和速率高，介电常数小，导热性能好等特点，MOCVD反应腔的温场和流场设计对其外延生长至关重要。现有的制备工艺易非故意引入高密度缺陷、杂质及表面起伏，严重影响了材料质量和器件性能，从而阻碍了GaN基光电器件的产业化进程。
报告研究了MOCVD反应腔结构与GaN基半导体材料生长质量关联性，通过有效调整腔室高度、气源预处理装置和天棚温度，探究了MOCVD腔室结构对GaN基材料外延生长的影响。
关于中科重仪：
产品介绍/aboutProducts：
一、ZY-314/316/318科研型MOCVD设备/ZY-314/316/318Research-OrientedMOCVDSystem
自动化控制与数据分析系统：可运行数据处理，原料流量控制，监控辅助设备运行状况等功能，并可进行生长过程预演和回放，同时进一步增强了系统功能和可靠性。
AutomaticControlandDataAnalysisSystem:Thissystemincludesdataprocessingmanagement,rawmaterialflowcontrol,auxiliaryequipmentmonitoring,andsimulationsandplaybackofthegrowthprocess.Thesefeaturesfurtherenhanceboththefunctionalityandreliabilityofthesystem.
用户可定制化：可根据客户需求定制气体管路数量、外延片尺寸（2~8英寸），满足不同材料高质量外延生长。
CustomizableOption:Thissystemcanbecustomizedtoadjustthenumberofgaslinesandthesizeoftheepitaxialwafers(rangingfrom2to8inches)tomeetcustomerrequirements,ensuringhigh-qualityepitaxygrowthacrossvariousmaterials.
二、氮化镓外延片/GaNEpi-Wafer
中科重仪依托自主研发生产型MOCVD设备，有效缓解外延片龟裂状况，并保持产品具有极低的翘曲度。公司所生产的GaN外延片产品拥有独有的高压厚膜缓冲层和钝化层设计，生产力及产品性能均达到国际先进水平。
WithitsindependentlydevelopedandmanufacturedMOCVDsystem,CASIeffectivelyreducescrackingandmaintainsextremelylowwarpageinepitaxialfilms.ItsGaNepitaxialwafersfeatureauniquehigh-voltagethickfilmbufferlayerandpassivationlayerdesign,meetinginternationallyadvancedstandardswhileensuringastableandamplesupply.
参会联系：
第十届国际第三代半导体论坛（IFWS）
第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）
地点：江苏·苏州国际博览中心·G馆
今年，国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛于11月18-21日在苏州国际博览中心举办，同台汇力，相映生辉，放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。