IDM（集成器件制造商）指Intel、IBM、三星这种拥有自己的晶圆厂，集芯片设计、制造、封装、测试、投向消费者市场五个环节的厂商，一般还拥有下游整机生产。
Fabless（无厂半导体公司）则是指有能力设计芯片架构，但本身无厂，需要找代工厂代为生产的厂商，知名的有ARM、NVIDIA、高通、苹果和华为。
Foundry（代工厂）则指台积电和GlobalFoundries，拥有工艺技术代工生产别家设计的芯片的厂商。我们常见到三星有自己研发的猎户座芯片，同时也会代工苹果A系列和高通骁龙的芯片系列，而台积电无自家芯片，主要接单替苹果和华为代工生产。
制程
在描述手机芯片性能的时候，消费者常听到的就是22nm、14nm、10nm这些数值，这是什么？
这是芯片市场上，一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升，带来的都是性能的增强和功耗的降低，而每一款旗舰手机的发布，常常与芯片性能的突破离不开关系。
骁龙835用上了更先进的10nm制程，在集成了超过30亿个晶体管的情况下，体积比骁龙820还要小了35%，整体功耗降低了40%，性能却大涨27%。
深入来说，这几十纳米怎么计算出来的？我们从芯片的组成单位晶体管说起。
得益于摩尔定律的预测，走到今天，比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。苹果A10Fusion芯片上，用的是台积电16nm的制造工艺，集成了大约33亿个晶体管。
而一个晶体管结构大致如下：
图中的晶体管结构中，电流从Source（源极）流入Drain（漏级），Gate（栅极）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度（栅长），就是XXnm工艺中的数值。
对于芯片制造商而言，主要就要不断升级技术，力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近20nm时，栅极对电流控制能力急剧下降，会出现“电流泄露”问题。为了在CPU上集成更多的晶体管，二氧化硅绝缘层会变得更薄，容易导致电流泄漏。
一方面，电流泄露将直接增加芯片的功耗，为晶体管带来额外的发热量；另一方面，电流泄露导致电路错误，信号模糊。为了解决信号模糊问题，芯片又不得不提高核心电压，功耗增加，陷入死循环。
还有一个难题，同样是目前10nm工艺芯片在量产遇到的。
另外，骁龙835用上了10nm的制程工艺，设计制造成本相比14nm工艺增加接近5成。大厂需要持续而巨大的资金投入到10nm芯片量产的必经之路。
就目前阶段，三星已经尝试向当前的工艺路线图中添加8nm和6nm工艺技术，台积电方面则继续提供16nmFinFET技术的芯片，开始着力10nm工艺的同时，预计今年能够样产7nm工艺制程的芯片。
FinFET
除了制程，还有工艺技术。
在这一代骁龙835上，高通选择了和三星合作，使用三星最新的10nmFinFET工艺制造。同样，三星自家的下一代旗舰猎户座8895用的也是用此工艺。
FinFET是什么？
业界主流芯片还停留在20/22nm工艺节点上的时候，Intel就率先引入了3DFinFET这种技术。后来三星和台积电在14/16nm节点上也大范围用上了类似的FinFET技术。下面我们统称为FinFET。
FinFET（FinField-EffectTransistor）称为鳍式场效应晶体管，是一种新的晶体管，称为CMOS。具体一点就是把芯片内部平面的结构变成了3D，把栅极形状改制，增大接触面积，减少栅极宽度的同时降低漏电率，而晶体管空间利用率大大增加。
因为优势明显，目前已经被大规模应用到手机芯片上。
经历了14/16nm工艺节点后，FinFET也历经升级，但这种升级是存在瓶颈的。目前，大厂们正研究新的FD-SOI（全耗尽绝缘体硅）工艺、硅光子技术、3D堆叠技术等，斥资寻求技术突破，为日后7nm、甚至5nm工艺领先布局。
LPE/LPP/LPC/LPU又是什么？
在工艺分类上，芯片主要分两大类：
·HP（HighPerformance）：主打高性能应用范畴；
·LP（LowPower）：主打低功耗应用范畴。
满足不同客户需求，HP内部再细分HPL、HPC、HPC+、HP和HPM五种。
HP和LP之间最重要区别就在性能和漏电率上，HP在主打性能，漏电率能够控制在很低水平，芯片成本高；LP则更适合中低端处理器使用，因为成本低。
所以，芯片除了在制程上寻求突破，工艺上也会逐步升级。
2014年底，三星宣布了世界首个14nmFinFET3D晶体管进入量产，标志着半导体晶体管进入3D时代。发展到今天，三星拥有了四代14nm工艺，第一代是苹果A9上面的FinFETLPE（LowPowerEarly），第二代则是用在猎户座8890、骁龙820和骁龙625上面的FinFETLPP（LowPowerPlus）。第三代是FinFETLPC，第四代则是目前的FinFETLPU。至于10nm工艺，三星则更新到了第三代（LPE/LPP/LPC）。
目前为止，三星已经将70000多颗第一代LPE（低功耗早期）硅晶片交付给客户。三星自家的猎户座8895，以及高通的骁龙835，都采用这种工艺制造，而10nm第二代LPP版和第三代LPU版将分别在年底和明年进入批量生产。
不知不觉，手机芯片市场上已经进入了10nm、7nm处理器的白热化竞争阶段，而14/16nm制程的争夺也不过是一两年前的事。
之前有人怀疑摩尔定律在今天是否还适用，就芯片的进化速度和技术储备来看，不是技术能力达不到，而是厂商们的竞争程度未必能逼迫它们全速前进。