天津三环奥纳申请纳米晶合金磁芯及其制备工艺专利，延迟磁芯内外表面升温磁性材料

金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，天津三环奥纳科技有限公司申请一项名为“种纳米晶合金磁芯及其制备工艺”的专利，公开号CN118942829A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开

了一种纳米晶合金磁芯

及其制备工艺，本发明

涉及磁性材料技术领

域，包括如下按重量百

分比计的各成分制成：

纯铁81％～85％、纯铜

0.8％～1.2％、硅铁8％

～10％、硼铁5.5％～

8.5％。该纳米晶合金磁

芯及其制备工艺，通过将铜片均匀的螺旋状缠绕在磁芯的内外

两侧，可以延迟磁芯内外表面升温，缩小磁芯中部与内外两侧

的温差，让磁芯中部与两侧的温度分布更均匀，促进更均匀的

消除内应力，有利于第二步退火时磁芯不同位置同时形核与生

长，使得磁芯内外位置的晶粒大小更均匀从而改善磁芯性能。