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2021.05.02
在进一步理解它之前，还应认识一下它的物理概念。内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。RAM是其中最重要的存储器，它又分为SDRAM（同步动态随机存储器）和DDRRAM（双倍速率随机存储器）。其中，SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%；DDRRAM是SDRAM的更新换代产品，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。
●只读存储器（ROM）
ROM表示只读存储器（ReadOnlyMemory），在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器停电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOSROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。
●随机存储器（RAM）
随机存储器（RandomAccessMemory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有4G/条，8G/条，16G/条等。
●高速缓冲存储器（Cache）
Cache也是我们经常遇到的概念，也就是平常看到的一级缓存(L1Cache）、二级缓存(L2Cache）、三级缓存(L3Cache）这些数据，它位于CPU与内存之间，是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时，CPU就从高速缓冲存储器读取数据，而不是访问较慢的内存，当然，如需要的数据在Cache中没有，CPU会再去读取内存中的数据。
●物理存储器和地址空间
物理存储器：指实际存在的具体存储器芯片。如主板上装插的内存条和装载有系统的BIOS的ROM芯片，显示卡上的显示RAM芯片和装载显示BIOS的ROM芯片，以及各种适配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存储器。
存储地址空间：指对存储器编码（编码地址）的范围。所谓编码就是对每一个物理存储单元（一个字节）分配一个号码，通常叫作“编址”。分配一个号码给一个存储单元的目的是为了便于找到它，完成数据的读写，这就是所谓的“寻址”（有人也把地址空间称为寻址空间）。
作为PC不可缺少的重要核心部件——内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。从286时代的30pinSIMM内存、486时代的72pinSIMM内存，到Pentium时代的EDODRAM内存、PII时代的SDRAM内存，到P4时代的DDR内存和目前DDR2时代、RDRAM、DDR3时代、DDR4时代。内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。我们也知道，内存的更新换代可谓万变不离其宗，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。[3]
在80286主板发布之前，内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上，而且容量只有64～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。不过随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了前面我们所提到的“内存条”概念。
在80286主板刚推出的时候，内存条采用了SIMM（SingleIn-lineMemoryModules，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb，必须是由8片数据位和1片校验位组成1个bank，正因如此，我们见到的30pinSIMM一般是四条一起使用。自1982年PC进入民用市场一直到现在，搭配80286处理器的30pinSIMM内存是内存领域的开山鼻祖。
在1991年到1995年中，让我们看到一个尴尬的情况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前，所以我们看到此时EDORAM有72pin和168pin并存的情况，事实上EDO内存也属于72pinSIMM内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式。EDO在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展，此时单条EDO内存的容量已经达到4～16MB。由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDORAM与FPMRAM都必须成对使用。[3]
第一代SDRAM内存为PC66规范，但很快由于Intel和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。由于SDRAM的带宽为64bit，正好对应CPU的64bit数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO内存。
不可否认的是，SDRAM内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。[3]
尽管SDRAMPC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium4计划，所以SDRAMPC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广RambusDRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(ReducedInstructionSetComputing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。
在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium4处理器，因此RambusDRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手剑，RambusDRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC10661066MHz32bits带宽可达到4.2GByte/sec，RambusDRAM曾一度被认为是Pentium4的绝配。
尽管如此，RambusRDRAM内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的RambusRDRAM内存因出现Intel820芯片组“失误事件”、PC800RambusRDRAM因成本过高而让Pentium4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴，种种问题让RambusRDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR内存面前。[3]
DDRSDRAM(DualDateRateSDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本，DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。
DDR内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200规范并没有得到普及，第二代PC266DDRSRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽）是由PC133SDRAM内存所衍生出的，它将DDR内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMDK7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过度，而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533规范则成为超频用户的选择对象。[3]
随着CPU性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC组织很早就开始酝酿DDR2标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。
DDR2能够在100MHz的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s的带宽，而且其接口将运行于1.8V电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外，DDR2将融入CAS、OCD、ODT等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。[3]
Intel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大（1064MB/s），同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广RambusDRAM(DirectRambusDRAM）。
RambusDRAM是：Rambus公司最早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，基于一种RISC(ReducedInstructionSetComputing，精简指令集计算机）理论，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为（16bit×2×400MHz/8）1.6GB/s，相当于PC-100的两倍。另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC(ErroICheckingandCorrection，错误检查修正）校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(RambusIn-lineMemoryModules，Rambus内嵌式内存模块），减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。[3]
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。部分厂商已经推出1.35V的低压版DDR3内存。[3]
2012年，DDR4时代将开启，起步频率降至1.2V，而频率提升至2133MHz，次年进一步将电压降至1.0V，频率则实现2667MHz。
内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。RAM是其中最重要的存储器。我们对内存的认识仅仅局限在SDRAM和DDRSDRAM这两种类型，事实上，内存的种类是非常多的，从能否写入的角度来分，就可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器)这两大类。[4]
RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：
01.DRAM（DynamicRAM，动态随机存取存储器）：
02.SRAM（StaticRAM，静态随机存取存储器）
静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
03.VRAM（VideoRAM，视频内存）
它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPMDRAM（FastPageModeDRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）
改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRMDRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPMDRAM被大量使用。
05.EDODRAM（ExtendedDataOutDRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）
06.BEDODRAM（BurstExtendedDataOutDRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是改良型的EDODRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDODRAM快。但支持BEDODRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIAAPOLLOVP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-BankDRAM，多插槽动态随机存取存储器）
MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库(BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。
08.WRAM（WindowRAM，窗口随机存取存储器）
韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。
09.RDRAM（RambusDRAM，高频动态随机存取存储器）
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。
10.SDRAM（SynchronousDRAM，同步动态随机存取存储器）
这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3.3V。所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。
11.SGRAM（SynchronousGraphicsRAM，同步绘图随机存取存储器）
SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。
12.SBSRAM（SynchronousBurstSRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）
一般的SRAM是非同步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SBSRAM产生的原因。
13.PBSRAM（PipelineBurstSRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）
CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。
14.DDRSDRAM（DoubleDataRate二倍速率同步动态随机存取存储器）
作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（DelayLockedLoop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。
15.SLDRAM（SynchronizeLink，同步链环动态随机存取存储器）
这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，投入实用的难度不小。
16.CDRAM（CACHEDDRAM，同步缓存动态随机存取存储器）
这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHEDRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。
17.DDRII(DoubleDataRateSynchronousDRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)
DDRII是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。
18.DRDRAM(DirectRambusDRAM)
是下一代的主流内存标准之一，由Rambus公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。
ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板上的BIOS(基本输入/输出系统BasicInput/OutputSystem)等。它的读取速度比RAM慢很多。
根据组成元件的不同，ROM内存又分为以下五种：
1.MASKROM（掩模型只读存储器）
制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASKROM，而烧录在MASKROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。
2.PROM（ProgrammableROM，可编程只读存储器）
这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(OneTimeProgarmmingROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)，以实现对其“编程”的目的。
3.EPROM（ErasableProgrammable，可擦可编程只读存储器）
这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住，以防止遭到阳光直射。
4.EEPROM（ElectricallyErasableProgrammable，电可擦可编程只读存储器）
功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。
5.FlashMemory（快闪存储器）
这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。
大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。
DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍；而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。例如DDR200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。[5]
内存的接口类型分SIMM、DIMM和DIP，其中前两种就是我们要重点论述的内容。[5]
SIMM（Singleln-LineMemoryModule），即单列直插内存模块，这是5x86及较早的PC机中常用的内存接口方式。在更早的PC机中(486以前)，多采用30针的SIMM接口，而在Pentium级别的机器中，应用更多的则是72针的SIMM接口，或者是与DIMM接口类型并存。72线的内存条体积稍大，并提供32位的有效数据位，常见容量有4MB.8MB，16MB和32MB。
DIMM（DualIn-LineMemoryModule），即双列直插内存模块，也就是说这种类型接口的内存的插板的两边都有数据接口触片(俗称为金手指)。这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，但由于是双边的，所以一共有168针，也就是人们常说的168线内存条。168线内存条的体积较大，提供64位有效数据位。
DRAM内存通常为72线的，SDRAM内存通常为168线的，而EDORAM内存则既有72线的，也有168线的。人们经常用内存的管线数来称呼内存。但需要注意的是，并非只有SDRAM内存是168线的，某些SIMM型内存也具有168线。SIMM的工作电压是5v，DIMM的工作电压是3.3v。
DIP（Dualn-LinePackage），即双列直插内存芯片，它的常见单片容量有256KB，IMB等几种。但现在内存发展这么快，哪里还会是几百KB和几兆容量的内存因此DIP接口早已经是淘汰了的内存接口。
在SIMM和DIMM接口类型的内存条上，多个RAM芯片焊在一块小电路板上，通过专用插座装在主板或内存扩充板上，因此它们也可以看作是一个内存芯片。
1024B=1KB=1024字节=2^10字节
1024KB=1MB=1048576字节=2^20字节1024MB=1GB=1073741824字节=2^30字节
1024GB=1TB=1099511627776字节=2^40字节
1024TB=1PB=1125899906842624字节=2^50字节
1024PB=1EB=1152921504606846976字节=2^60字节
1024EB=1ZB=1180591620717411303424字节=2^70字节
1024ZB=1YB=1208925819614629174706176字节=2^80字节
从功能上理解，我们可以将内存看作是内存控制器与CPU之间的桥梁，内存也就相当于“仓库”。显然，内存的容量决定“仓库”的大小，而内存的速度决定“桥梁”的宽窄，两者缺一不可，这也就是我们常常说道的“内存容量”与“内存速度”。
内存带宽的计算方法并不复杂，大家可以遵循如下的计算公式：带宽=总线宽度×总线频率×一个时钟周期内交换的数据包个数。很明显，在这些乘数因子中，每个都会对最终的内存带宽产生极大的影响。在PCMarkVantage测试中，可以看到2GB和4GBDDR3-1600内存性能比较接近，其中2GB内存仅在启动一些办公软件时候比较落后，毕竟少了一半容量所以运行起来比较吃力。而在3DmarkVantage游戏性能测试中，我们可以看出在Win7系统下，2GB和4GB内存的性能区别不是很大，成绩非常接近。同时，在WIN7环境下，2GB内存与4GB内存差别很小，有些情况下甚至没有差别，这时如果想提高内存性能，光想着升级容量意义并不是很大。[5]
何谓内存带宽
带宽重要性
提高内存带宽
识别内存带宽
对于内存而言，辨别内存带宽是一件相当简单的事情，因为SDRAM、DDR、RDRAM这三种内存在外观上有着很大的差别，大家通过下面这副图就能清楚地认识到。唯一需要我们去辨认的便是不同频率的DDR内存。目前主流DDR内存分为DDR266、DDR333以及DDR400，其中后三位数字代表工作频率。通过内存条上的标识，自然可以很方便地识别出其规格。相对而言，显卡上显存带宽的识别就要困难一些。在这里，我们应该抓住“显存位宽”和“显存频率”两个重要的技术指标。显存位宽的计算方法是：单块显存颗粒位宽×显存颗粒总数，而显存频率则是由'1000/显存颗粒纳秒数'来决定。一般来说，我们可以从显存颗粒上一串编号的最后2两位看出其纳秒数，从中也就得知其显存频率。至于单块显存颗粒位宽，我们只能在网上查询。HY、三星、EtronTech（钰创）等都提供专用的显存编号查询网站，相当方便。如三星的显存就可以到如下的地址下载，只要输入相应的显存颗粒编号即可。此外，使用RivaTuner也可以检测显卡上显存的总位宽，大家打开RivaTuner在MAIN菜单即可看到。[5]
对于选择内存来说，最重要的是稳定性和性能，而内存的做工水平直接会影响到性能、稳定以及超频。
内存颗粒的好坏直接影响到内存的性能，可以说也是内存最重要的核心元件。所以大家在购买时，尽量选择大厂生产出来的内存颗粒，一般常见的内存颗粒厂商有三星、现代、镁光、南亚、茂矽等，它们都是经过完整的生产工序，因此在品质上都更有保障。而采用这些顶级大厂内存颗粒的内存条品质性能，必然会比其他杂牌内存颗粒的产品要高出许多。
内存PCB电路板的作用是连接内存芯片引脚与主板信号线，因此其做工好坏直接关系着系统稳定性。目前主流内存PCB电路板层数一般是6层，这类电路板具有良好的电气性能，可以有效屏蔽信号干扰。而更优秀的高规格内存往往配备了8层PCB电路板，以起到更好的效能。
SPD信息可以说非常重要，它能够直观反映出内存的性能及体制。它里面存放着内存可以稳定工作的指标信息以及产品的生产，厂家等信息。不过，由于每个厂商都能对SPD进行随意修改，因此很多杂牌内存厂商会将SPD参数进行修改或者直接COPY名牌产品的SPD，但是一旦上机用软件检测就会原形毕露。
因此，大家在购买内存以后，回去用常用的Everest、CPU-Z等软件一查即可明白。不过需要注意的是，对于大品牌内存来说SPD参数是非常重要的，但是对于杂牌内存来说，SPD的信息并不值得完全相信。
目前有一些内存往往使用了不同品牌、型号的内存颗粒，大家一眼就可以看出区别。同时有些无孔不入的JS也会采用打磨内存颗粒的作假手段，然后再加印上新的编号参数。不过仔细观察，就会发现打磨过后的芯片比较暗淡无光，有起毛的感觉，而且加印上的字迹模糊不清晰。这些一般都是假冒的内存产品，需要注意。
此外，大家还要观察PCB电路板是否整洁，有无毛刺等等，金手指是否很明显有经过插拔所留下的痕迹，如果有，则很有可能是返修内存产品（当然也不排除有厂家出厂前经过测试，不过比较少数）。需要提醒大家的是，返修和假冒内存无论多么便宜都不值得购买，因为其安全隐患十分严重。
一、开机无显示
由于内存条原因出现此类故障一般是因为内存条与主板内存插槽接触不良造成，只要用橡皮擦来回擦试其金手指部位即可解决问题（不要用酒精等清洗），还有就是内存损坏或主板内存槽有问题也会造成此类故障。
二、windows系统运行不稳定，经常产生非法错误
出现此类故障一般是由于内存芯片质量不良或软件原因引起，如若确定是内存条原因只有更换一途。
三、windows注册表经常无故损坏，提示要求用户恢复
此类故障一般都是因为内存条质量不佳引起，很难予以修复，唯有更换一途。
四、windows经常自动进入安全模式
此类故障一般是由于主板与内存条不兼容或内存条质量不佳引起，常见于PC133内存用于某些不支持PC133内存条的主板上，可以尝试在CMOS设置内降低内存读取速度看能否解决问题，如若不行，那就只有更换内存条了。
五、随机性死机
六、内存加大后系统资源反而降低
此类现象一般是由于主板与内存不兼容引起，常见于PC133内存条用于某些不支持PC133内存条的主板上，即使系统重装也不能解决问题。
七、windows启动时，在载入高端内存文件himem.sys时系统提示某些地址有问题
此问题一般是由于内存条的某些芯片损坏造成，解决方法可参见下面内存维修一法。
八、运行某些软件时经常出现内存不足的提示
此现象一般是由于系统盘剩余空间不足造成，可以删除一些无用文件，多留一些空间即可，一般保持在300M左右为宜。
九、从硬盘引导安装windows进行到检测磁盘空间时，系统提示内存不足
此类故障一般是由于用户在config.sys文件中加入了emm386.exe文件，只要将其屏蔽掉即可解决问题。
十、安装windows进行到系统配置时产生一个非法错误
此类故障一般是由于内存条损坏造成，可以按内存维修一法来解决，如若不行，那就只有更换内存条了。
十一、启动windows时系统多次自动重新启动
此类故障一般是由于内存条或电源质量有问题造成，当然，系统重新启动还有可能是CPU散热不良或其他人为故障造成，对此，唯有用排除法一步一步排除。
十二、内存维修一法
出现上面几种故障后，倘若内存损坏或芯片质量不行，如条件不允许可以用烙铁将内存一边的各芯片卸下，看能否解决问题，如若不行再换卸另一边的芯片，直到成功为止（如此焊工只怕要维修手机的人方可达到）。当然，有条件用示波器检测那就事半功倍了），采用此法后，因为已将内存的一边芯片卸下，所以内存只有一半可用，例如，64M还有32M可用，为此，对于小容量内存就没有维修的必要了。
这种情况主要是发生在描述移动设备的内部集成的数据存放空间时。比如一台手机具备8G的数据存储空间，不少人将其描述为“8G内存”，事实上，这种表述是错误的，因为所谓的“8G内存”是一个外存储器。不能将“内部的外存储器”简称为”内存，因为内存是一个特定的概念，为内存储器的简称。