回顾曾经那些推动全球半导体发展的技术和事件。1833年：第一次有记录的半导体效应迈克尔·法拉第（MichaelFaraday）发现了硫化银晶体中电导率随温度升高而增加的“特殊情况”。这与在铜和其他金属中观察到的情况相反。
图：法拉第
1874年：发现半导体点接触式整流器效应
第一个半导体二极管书面说明，费迪南德·布劳恩（FerdinandBraun）指出，在金属点与方铅矿晶体接触处，电流只朝一个方向自由流动。
1901年：半导体整流器获得“晶体管触须（CAT'SWHISKER）”探测器专利
无线电先驱、印度加尔各答总统学院物理学教授JagadisChandraBose申请了检测无线电波的半导体晶体整流器的专利。
图：JagadisChandraBose
1926年：场效应半导体器件申请专利
JuliusLilienfeld申请了一项专利，描述了一种基于硫化铜半导体特性的三电极放大装置。直到1930年代，人们一直在尝试制造这种设备。
图：JuliusE.Lilienfeld
1931年:《电子半导体理论》出版
艾伦·威尔逊（AlanWilson）用量子力学来解释半导体的基本特性。七年后，鲍里斯达维多夫(苏联)、内维尔莫特(英国)和沃尔特肖特基(德国)都对半导体进行了理论解释。
图：在剑桥的AlanWilson
1940年:发现P-N结
RussellOhl发现了硅中的P-N结和光伏效应，从而促进了结晶体管和太阳能电池的发展。
图：在贝尔实验室的RussellOhl
1941年，半导体二极管整流器用于二战
开发出用于战时雷达微波探测器的高纯度锗和硅晶体的生产技术。
图：卡尔·拉克·霍洛维兹（KarlLark-Horowitz）（右）和西摩·本泽（SeymourBenzer），约1942年在普渡大学
1947年：点接触晶体管的发明
1947年12月，约翰·巴丁（JohnBardeen）和沃尔特·布拉顿（WalterBrattain）在锗点接触器件中实现了晶体管作用。
1948年：欧洲晶体管的发明
HerbertMataré和HeinrichWelker在法国发明了锗点接触晶体管。
图：HerbertMataré
1948年：结型晶体管的构想
威廉·肖克利（WilliamShockley）基于对P-N结效应的理论理解，构想了一种改进的晶体管结构。
图：威廉·肖克利（WilliamShockley）描述结晶体管理论
1951年:发明区域熔炼
WilliamPfann和HenryTheurer开发了用于生产超纯半导体材料的区域熔炼技术。
图：WilliamPfann和JackScaff使用早期区熔精炼设备
1951年：第一个制造的生长结晶体管
戈登·蒂尔（GordonTeal）生长出了大型锗单晶，并与摩根·斯帕克斯（MorganSparks）合作制造了一个N-P-N结晶体管。
图：1951年戈登·蒂尔（GordonK.Teal）（左）和贝尔实验室的摩根·史克斯（MorganSparks）
1952年：晶体管消费品出现
半导体开始出现在电池供电的助听器和袖珍收音机中，消费者愿意为便携性和低功耗支付高价。
图：Sonotone1010助听器使用了一个晶体管和两个电子管
图：杰克·A·莫顿（JackA.Morton）（左）和贝尔实验室的JR·威尔逊，约1948年
1953年：晶体管计算机问世
晶体管计算机样机证明了半导体与真空管相比，具有体积小、功耗低的优点。
图：SEAC计算机操作员站
1954年：为晶体管开发扩散过程
在使用高温扩散法生产太阳能电池之后，CharlesLee和MorrisTanenbaum将该技术应用于制造高速晶体管。
图：贝尔实验室的首批扩散基极硅晶体管之一
1954年：硅晶体管展现优越的工作特性
莫里斯·塔南鲍姆（MorrisTanenbaum）在贝尔实验室制造了第一个硅晶体管，但德州仪器公司的工程师制造并销售了第一个商业设备。
图：贝尔实验室的MorrisTanenbaum（左）和CharlesLee（右）
1955年：光刻技术被用于制造硅器件
朱尔斯·安德鲁斯（JulesAndrus）和沃尔特·邦德（WalterBond）采用印刷技术中的光刻技术，使硅晶圆上的扩散“窗口”得以精确蚀刻。
1955年：氧化物掩蔽的发展
卡尔·弗罗施(CarlFrosch)和林肯·德里克(LincolnDerick)在晶片上生长了一层二氧化硅薄膜，以保护其表面，并允许受控扩散到底部的硅层。
图：CalvinFuller，CarlFrosch和LincolnDerick的早期扩散炉
1956年：硅谷诞生
肖克利半导体实验室培育了年轻的工程师和科学家——未来硅谷的中流砥柱，与此同时开发了北加利福尼亚州的第一批原型硅器件。
图：在加利福尼亚帕洛阿尔托的Rickey's酒店敬酒肖克利的诺贝尔奖。
1958年：演示半导体集成电路
杰克·基尔比(JackKilby)用半导体材料制作了一个有源和无源元件的集成电路。
1958年:硅台面型晶体管进入商业生产
仙童（Fairchild）半导体生产双扩散硅台面晶体管，以满足苛刻的航空航天应用。
1958年：隧道二极管有望实现高速半导体开关
隧道二极管是江崎玲于奈1958年8月时发明的，当时他在东京通讯工业株式会社（现在的索尼）。1973年时江崎玲于奈和布赖恩·约瑟夫森因为发现上述半导体中的量子穿隧效应而获得诺贝尔物理奖。罗伯特·诺伊斯在为威廉·肖克利工作时也有有关隧道二极管的想法，但没有继续进行研究。
1959年：实用单片集成电路概念专利
罗伯特·诺伊斯（RobertNoyce）在约翰·拉尔斯（JeanHoerni）的平面工艺的基础上，申请了一种可以大批量生产的单片集成电路结构专利。
图：罗伯特·诺伊斯（RobertNoyce）于1962年担任飞兆半导体总经理
1959年:“平面”制造工艺的发明
JeanHoerni开发了平面工艺来解决台面晶体管的可靠性问题，从而革新了半导体制造业。
图：JeanHoerni
1960年：外延沉积工艺提高晶体管性能
薄膜晶体生长工艺的发展使晶体管具有高的开关速度。
图：伊恩·罗斯（IanRoss）担任贝尔实验室总裁的铅笔素描
1960年：演示金属氧化物半导体(MOS)晶体管
JohnAtalla和DawonKahng制作了可工作的晶体管并演示了第一个成功的MOS场效应放大器。
图：DawonKahang的MOS专利图
1960年：制造了第一个平面集成电路
JayLast设计并证明了基于Hoerni的平面工艺生产集成电路的可行性。
图：杰伊·拉斯特（JayLast）和戈登·摩尔（GordonMoore）
1961年：专用半导体测试设备进入商业市场
半导体以及一些专门的供应商为高通量制造建立专用的测试设备。
图：联合创始人VicGrinich在Fairchild领导了IC测试仪开发
1961年:硅晶体管速度超过锗
计算机架构师SeymourCray资助了首款硅器件的开发，以满足世界上最快的机器的性能需求。
图：JeanHoerni在实验室工作
1962年:航天系统计算机首次使用集成电路
与分立晶体管设计相比，集成电路的尺寸、重量和功耗更小，尽管成本很高，但军事和航空航天系统中刚好适合。
1963年：推出标准逻辑IC系列
二极管-晶体管逻辑(DTL)系统为数字集成电路创造了一个大批量的市场，但是速度、成本和密度优势使晶体管-晶体管逻辑(TTL)成为20世纪60年代后期最流行的标准逻辑配置。
图：在推出SigneticsSE124DTL触发器2年后，Fairchild的930系列DTL（右）更小、更便宜、更快
1963年:互补MOS结构被发明
弗兰克·万拉斯（FrankWanlass）发明了最低功率逻辑器件，但是性能限制阻碍其成为当时的流行技术。
图：FrankWanlass专利图纸中的CMOS器件结构
1964年：首个商用MOS集成电路问世
通用微电子公司使用金属氧化物半导体(MOS)工艺在一个芯片上封装比双极集成电路更多的晶体管，并建立了第一个使用该技术的计算机芯片组。
图：1966年AndyGrove，BruceDeal和EdSnow在FairchildPaloAlto研发实验室讨论MOS技术
1964年：推出第一个广泛使用的模拟集成电路
Fairchild的戴维塔尔伯特(DavidTalbert)和罗伯特威德拉(RobertWidlar)为模拟IC创建成功的商业模式，并为其开启了一个主要的行业领域。
图：罗伯特·威德拉（RobertWidlar）于1977年检查LM10掩模的布局
1964年：混合微电路达到产量峰值
为IBMSystem/360计算机家族开发的多芯片SLT封装技术进入量产阶段。
图：1964年的IBMSystem360手册封面包含SLT模块
1965年：半导体只读存储器芯片出现
半导体只读存储器(ROM)拥有高密度和每比特低成本的优势。
1965：第一个为整体系统设计的封装产品
双直列封装(DIP)模式大大简化了印刷电路板的布局，降低了计算机的组装成本。
1965年：大型计算机采用集成电路
大型计算机制造商宣布推出专用集成电路的计算机。
1965年：“摩尔定律”预言了集成电路的未来
仙童公司的研发总监预测了集成电路中晶体管密度的增长速度，并为技术进步建立了一个标准。
1966年：为IC开发了计算机辅助设计工具
图：1967年在Fairchild上使用IBM360/67大型机驱动的CAD系统
1966年：半导体RAM满足高速存储需求
双极性RAM进入计算机市场，用于高性能暂存器和高速缓存应用。
图：16位双极性TTLRAM的金属掩膜图——1967年电视纪录片的屏幕图像
1967年：专用集成电路采用计算机辅助设计
图：Fairchild4500-1967DTL32门Micromatrix定制阵列，使用CAD工具进行设计
1967年：一站式解决方案设备供应商改变了行业格局
第三方供应商为半导体制造的提供专业设备，并成为中间技术和一站式制造设备的供应商。其中应用材料成立于1967年。
图：MichaelMcNeilly和WalterBenzing在AppliedMaterials，Inc.率先开发了外延沉积设备。
1968年：为IC开发了硅栅技术
费德里克·法格(FedericoFaggin)和汤姆·克莱(TomKlein)改善了具有硅栅结构的MOSIC的可靠性，封装密度和速度。法格设计了第一款商用硅栅极IC–飞兆3708。
图：费德里科·法金（FedericoFaggin）和汤姆·克莱因（TomKlein）于1967年在仙童（Fairchild）研发
1968年：专用电流源IC集成了数据转换功能
Fairchild的GeorgeErdi设计了首批专用于数据转换应用的IC之一的μA72210位电流源。
图：FairchildμA72210位电流源，用于数模转换器
1969年：肖特基势垒二极管使TTL存储器的速度提高了一倍
设计方法的创新改进了行业标准的64位TTLRAM架构的速度，并降低了功耗。快速应用于新的双极逻辑和存储器设计。
图：i3101肖特基TTL64位RAM是英特尔的第一款产品
1970年：MOS动态RAM与磁芯存储器的价格竞争
英特尔i1103DRAM开启了半导体对磁芯存储器的挑战。
图：Fairchild的1024位SAM多芯片存储平面使用16个64位PMOS静态RAM芯片（1968）
1971年：微处理器将CPU功能集成到单个芯片上
为了减少运算器设计需要的芯片数，英特尔工程师创造了第一个单片微处理器（CPU），i4004.
图：英特尔MPU4004
1971年：可重复使用的可编程ROM引入了迭代设计灵活性
以色列工程师DovFrohman发明的紫外线可擦写ROM设计为快速开发基于微处理器的系统提供了重要的设计工具，称为可擦写、可编程只读存储器或EPROM。
图：EPROM发明家DovFrohman
1974年：量化了IC工艺设计规则的数量
IBM研究员RobertDennard关于MOS存储器的过程缩放的论文加速了缩小物理尺寸和制造越来越复杂的集成电路的全球竞争。
图：IBM研究员RobertDennard
1974年：通用微控制器系列的发布
TMS1000微控制单元/MCU出现了单芯片计算器设计，可用于要求不高的任务，例如控制器或者微波炉。
图：TMS1000微控制器的早期版本
1974年：电子表是第一个片上系统集成电路
MICROMA液晶显示器（LCD）数字手表是将完整的电子系统集成到称为系统级芯片（SOC）的单个硅芯片上的第一款产品。
图：汉密尔顿Pulsar数字手表的电子模块
1978年：用户可编程逻辑器件的诞生
单片存储器公司的JohnBirknerandH.T.Chua开发了易于使用的可编程阵列逻辑（PAL）器件和工具，用于快速原型化定制逻辑功能。
图：80年代中期的H.T.Chua和JohnBirkner
1979年：推出了单芯片数字信号处理器
贝尔实验室的单芯片DSP-1数字信号处理器设备架构针对电子开关系统进行了优化。
图：贝尔实验室的DSP-1器件版本
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