微波毫米波技术基本知识

1、微波毫米波技术,基本知识,提纲,1,无线电频段划分,2,射频和微波传输线,3,微波电路技术的发展历程,4,国外毫米波器件和系统应用,一、无线电频段划分,名称,长波,中波,短波,超短波,微波,频率,15,100kHz,100,1.5,1500kHz,30MHz,30,300,以上,300MHz,波长,20km,3km,3km,200m,200m,10m,10m,1m,1m,以下,微波频段划分,UHF,名称,频率,P,225,390,MHz,133.2,76.9,cm,L,0.39,1.55,MHz,76.9,19.3,cm,S,1.55,3.9,GHz,19.3,7.69,cm,C,X,Ku,1

2、2.4,18,GHz,2.42,1.67,cm,K,18,26.5,GHz,1.67,1.13,cm,波长,3.9-6.9,6.9,GHz,12.4,GHz,7.69,4.35,4.35,2.42,cm,cm,毫米波频段,EHF,名称,Ka,Q,U,40,60,V,50,75,E,60,90,W,75,110,F,D,G,频率,26.5,33,GHz,40,50,90,110,140,140,170,220,2.7,1.7,2.1,1.4,波长,11.3,9.1-6,7.5-5,6-4,mm,7.5,5-3.3,4-2.7,3.3,2.1,大气透明窗口,35GHz,95GHz,220GHz,1

3、40GHz,225GHz,大气吸收频段,60GHz,120GHz,185GHz,常用称,射频,1MHz-1GHz,微波,1GHz-30GHz,毫米波,30GHz-300GHz,亚毫米波,300-3000GHz(1000GHz=1THz,红外,300-416000GHz(1000THz=1pHz,可见光,0.76,0.4,m,微波系统构成,传输线,及不连续性,无源和有源器件,半导体或电真空,微波部件,微波系统,微波模块,二、微波和毫米波传输线,TEM,传输线,非色散传输线传播速度,等于填充媒质中的光速,且不随工作频率而变,柱面波导,色散传输线传播速度随,频率而变,开波导,表面波传输线,特定的频

4、,率和波型,平行双导线,同轴线,带状线,微带线,矩形波导,圆形波导,椭圆形波导,脊波导单脊和双脊波导,介质棒波导,哥保线,介质镜象线,光纤,微波集成电路传输线,带状线,stripoline,微带线,Microstrip,悬置带线,suspended,stripline,共面线,coplanarline,微波集成电路传输线,共面波导,coplanarwaveguide,鳍线,fin-line,单侧鳍线,Uilateral,finline,双侧鳍线,Bilateral,finline,对极鳍线,Antipodal,finline,鳍线,fin-line,单侧鳍线,双侧鳍线,对极鳍线,毫米波集

5、成传输线比较,特性,Q,值,微带,较低,悬置微,鳍线,带,较高,宽,宽,较易,较大,高,窄,窄,容易,大,槽线,低,较窄,较窄,较难,较小,较小,共面波,镜像线,导,较低,较窄,较宽,较高,较宽,宽,难,小,单模带,宽,宽,阻抗范,宽,围,过渡,较易,尺寸重,小,量,三、微波电路技术的发展历程,从分立电路,平面微波集成电路,多层和三维微波,集成电路到多芯片模块,微波、毫米波子系统的集成化推进了整机系统面貌,迅速更新,这不仅体现在设备体积重量按数量级减小,而且成,本降低、可靠性提高,从而促进了微波和毫米波技,术在军事和民用领域广泛应用,微波电路技术的发展历程,微波电路或系统的革新体现在元、器件物

7、单片微波集成电路,在同一基片上将集成的有源器件、无源,元件、连接线等用薄介质层相隔而形成的多,层紧凑的单片集成电路,两者有着相似的结构,将它们统称为三,维微波集成电路,多芯片模块,MCM,MCM,Multi-Chip-Module,是广义的,3DMIC,MCM,由若干,IC,裸片互连在同一块高密度,多层布线基板上并封装在同一管壳中形成的,功能组件,MCM,与传统平面混合集成电路比较,电,性能提高一个数量级,体积重量降低一个数,量级,多芯片模块,MCM,分类,MCM,L,高密度,PCB,基板,L,表示迭层印,制布,线板,MCM,C,共烧陶瓷基板,C,表示共烧陶瓷工艺,包括,HTCC,和,LTCC

8、,HTCC,High,Temperatue,Cofired,Ceramic,LTCC,Low,Temperatue,Cofired,Ceramic,MCM,D,采用其它新绝缘材料的薄膜布线基,板,D,表示电介质淀积薄膜工艺,MCM,Si,采用硅工艺的薄膜布线基板,层间,绝缘膜是,SiO2,Si,MCM,C/D,在共烧陶瓷上形成薄膜布线的基,板,MCM,的主要特点,集芯片,IC,和无源元件于一体,避免了元器件,级组装,简化了系统级的组装层次,高密度互连基板,导线和线间距细化(通常,小于,0.1mm,高密度多层互连线短,布线密度高,布线密,度每平方英寸,250,500,根,能将数字电路、模拟电路、

9、光电器件、微波,器件合理组装在一个封装体内,形成多功能,组件、子系统和系统,LTCC,MCM,LTCC,MCM,LTCC,工艺流程,LTCC,实例,LMDS,发射模块,计算电磁学及其应用,微波电路的小型化,特别是三维电路的发展,不仅以先进的电路制造工艺为基础,而且依赖,计算电磁学和商用电磁仿真软件的迅速发展,随着射频集成电路,RFIC,单片集成电路,MMIC,和超大规模集成电路,VLSI,技术,的迅速发展,低成本、高性能的高速数字、射,频、微波和毫米波集成电路和系统的互连和封,装成为重要的理论和工艺技术课题,商用,CAD,软件应运而生,Ansoft,公司,软件,designer,和,HFFS,

10、计算电磁学及其应用,随着集成密度的增加和工作频率的提高,设计者,必须认真对待互连和封装中的各种电磁效应问题,如电路间的互耦,寄生谐振,电磁干扰和电磁兼容,性等问题,在电磁场与微波技术学科中,以电磁场理论为基,础,以高性能计算技术为手段,运用计算数学提供,的各种方法,诞生了一门解决复杂电磁场理论和工,程问题的应用科学,计算电磁学,computational,electromagnetics,计算电磁学及其应用,电磁场问题求解方法,解析法,建立和求解偏微分方程和积分方程,数值法,直接以数值的、程序的形式代替解析形式,半解析数值法,将解析与数值法结合,人的理论分析与计算,机数值解结合,计算电磁学的几

11、种重要方法,计算电磁学的几钟重要方法,有限元法,FEM,FiniteElementMethod,时域有限差分法,FDTD,FiniteDifferencenTimeDomainmethod,矩量法,MoM,MethodofMoments,引入新概念和新方法,计算电磁学和商用仿真软件的发展为实现新,电路方法提供了条件,光子带隙,PhotonicBandGap,PBG,在微波,领域的应用是突出代表,PBG,概念,PBG,是一种介质在另一种介质中周期排列,所组成的周期结构,光子在这类材料中的作用类似于电子在凝,聚态物质中的作用,存在着类似于半导体能,带结构中的禁带,电磁波在具有周

12、期结构的介质材料中传播,时,会受到调制,形成能带结构,能带结构,之间可能出现带隙,微波领域的光子带隙也称,电磁带隙,EBG,PGG,特性,当电磁波的工作频率落在带隙中时,由于,带隙中没有任何传输态存在,因而任何方向,的入射波都会发生全反射,因而具有,带阻特,性,光子带隙结构不仅改变传输线特性阻抗,同时改变传播常数,PGG,构成,PBG,可采用金属、介质、铁磁或铁电物质,植入衬底材料,或直接由衬底材料周期性形,状排列而成。目前国内外所提出的,PBG,结构,在介质基板上钻孔,在衬底中填充其他介质或金属,在微带电路底板上刻蚀光子晶体结构,在微带电路表面冗余部分形成,PBG,在微带线上刻蚀谐振单元,P

13、BG,应用,宽带带阻滤波器,抑制谐波,高,Q,微带谐振器,小型匹配网络,改善放大器性能,单向辐射微带天线,提高效率,频率选择表面,延时线,无源网络:混合环、正向耦合器,改善微带天线性能,微带线中的光子带隙结构,在微带接地面上腐蚀一个或少量的孔,称为有,缺陷的接地结构,DGS,defectedGround,Structure,或译为非理想接地板结构,可以说,DGS,是,PBG,的一种特例,四、国外毫米波器件和系统应用,现代武器装备的需求促进了毫米波技术,的发展,毫米波技术发展的需要又带动,了半导体和微电子电路技术和工艺的进,步,使毫米波技术成为当今一门知识密,集的综合性技术学科,国外毫米波设备

14、,快速发展,每年以,30%-40,的速度增长,成为军事电子领域的,朝阳”产业,毫米波器件电真空器件,行波管,反波管,速调管,磁控管,回旋管,自由电子激光管,毫米波器件半导体器件,两端器件,雪崩二极管,Impatt,耿氏管或体效验管,Gunn,TED,混频、检波二极管,变容二极管,隧道二极管,三端器件,双极管,BJT,场效应管,FET,异质结双极管,HBT,高速电子迁移三极管,HEMT,膺配高速电子迁移三极管,PHEMT,毫米波固态器件水平,80,年代以来,毫米波技术的迅速发展得益于固态器,件的进步;毫米波军事需求促进了毫米波发展,70,年代,GaAs,肖特基二极管的出现是毫米波器件的,重大突破

15、:已用于亚毫米波上下混频和倍频,三端器件的发展迅速,BJT,FET,HEMT,HBT,HEMT,比,FET,有更好的频率特性,更高的效率,更,低的噪声,94GHz,的噪声系数,1.4dB,PHEMT,有更高的功率,成为毫米波功率器件的主,流,HBT,效率高,1/f,相噪低,InP,基,HBT,振荡管工作频,率已达,138GHz,毫米波,MMIC,82,年第一只,Ka,波段,MMIC,二极管混频器问世以来,MMIC,品种迅速增多,性能改善,工作频率提高,美国,TRW,和,Hughes,公司,InP,基,MMIC,工作频率已超过,250GHHz,TRW,公司,InPHEMT,功率,MMIC,60

16、GHz,1W,PAE=20,60GHz,3.8W,31dB,8,个模块合成,95GHz,480mW,PAE=20,TRW,公司,InPHEMT,低噪声,MMIC,170,200GHz,G=15dB,Nf=4.8dB,毫米波低噪声放大器,MMIC,毫米波低噪声放大器,MMIC,芯片,产品性能,频率,GHz,噪声系,数,dB,增益,dB,厂家,26-40,2.5,13,26-40,2.5,17,36-40,2.5,18,55-60,3.5,10,UMS,Sanders,Fujitsu,UMS,毫米波功率放大器,MMIC,毫米波功率放大器,MMIC,芯片,产品性能,33-36,频率,

17、GHz,增益,dB,17,P1dB,dBm,厂家,31,29-33,11,32.6,37-40,10,32,55-60,12,15,Triquit,Sanders,Sanders,UMS,毫米波多功能,MMIC,英国,DERA,的,43.5-45.5GHzMMIC,接收前端包括低,噪声放大、混频、本振,尺寸,3.0,3.8mm,Nf=4.3dB,G=5-8dB,美国,NorthgropGrumman,公司,MMICW,波段发射组件,包括,Ku,波段二倍频器,Ka-W,三倍频器,W,波段放,大器和功率合成器,输出功率,1W,体积,21.3cm,3,美国,TRW,公司的,Ka,波段收发组件频

18、率,17.5-35GHz,包括低噪声放大、滤波器、混频、二倍频、双极,化开关、功放,Nf=1.9dB,输出功率,30W,美国,TRW,公司的,60GHz,固态功放模块,30W,60dB,272,元桥路加空间功率合成,微加工技术和微机电系统,MEMS,微加工,Micromachining,技术是通过,MMIC,工,艺,微量,m,量级)加工半导体,Si,GaAs,等,晶片、介质乃至金属结构以改进电路性能,提高集成度,微加工方法可制作三维结构,在低损耗传输,线和谐振器、可调的集中参数电感和低损耗,微波与毫米波滤波器中得到应用。制作微波,高波段或毫米波低损耗线和屏蔽膜片微带,SMM-Shielded-

19、Membrane-Microstrip,SMM,的介质损耗和辐射损耗低,微加工技术和微机电系统,MEMS,微电子技术的巨大成功在许多领域引发了一场微小型化,革命,以加工微米,纳米结构和系统为目的的微米,纳米,技术,Micro/nanoTechnology,在此背景下应运而生,一方面人们利用物理化学方法将原子和分子组装起来,形成具有一定功能的微米,纳米结构,另一方面人们利用精细加工手段加工出微米,纳米级结构,前者导致了纳米生物学、纳米化学等边缘学科的产生,后者则在小型机械制造领域开始了一场新的革命,产,生了微加工,Micromachining,技术,从,而,导,致,了,微,机,电,系,统,Mic

20、ro-Electro-Mechanical,Systems,的诞生,微机电系统,MEMS,微机电系统,Micro-Electro-Mechanical,Systems,MEMS,是集成电路工艺与精密机,械加工相结合的新兴技术,利用静电场、磁,场使微米至毫米量级的微型结构完成吸动,移动和转动的技术,从广义上讲,MEMS,是指集微型传感器、微,型执行器以及信号处理和控制电路、接口电,路、通信和电源于一体的完整微型机电系统,它本身就是一种多层结构,微机电系统,MEMS,近几年,MEMS,已应用于微波和毫米波系统中,实现,多种形式低损耗开关、阻抗调配、多种可调器件,如滤波器)乃至可变型天线,MEMS,

21、代表了集成电路技术中一项新的革命,国际上称利用,MEMS,技术制作的微型,RF,部件为,RF,MEMS,RF,MEMS,具有所需功耗低,Q,值高等优,点,MEMS,可用在微波和毫米波段作为开关元件,用以,组成复杂的功能器件,Si,和,SiGe,衬底的元件和集成电路,在当今全球超过,2500,亿美元的半导体市场中,90,以上的产品都是使用硅材料的集成电路。相对,其它半导体材料而言,硅具有廉价丰富、易于生,长大尺寸、高纯度的晶体及热性能与机械性能优,良等优点,然而几十年来微波集成电路一直使用价值昂贵的,GaAs,或,InP,作衬底材料,原因:硅,BJT,和,MOSFET,的工作频率太低;常用,

22、硅的电阻率太小,1,100cm,Si,和,SiGe,衬底的元件和集成电路,最近几年,随着频率高达,100GHz,的硅二极管的研,制成功,在,Si,器件中加入,Ge,材料,实现了微波性能优良的,HBT,异质结双极型晶体管,使基于,Si,的有源电路,可工作至,60GHz,以上,这些器件的制作工艺与标准,Si,工艺相兼容,尤为重要的是,Si,的使用降低了,MMIC,的成本,Si,基技术的发展证明了在微波频段甚至毫米波段,Si,完全能取代,GaAs,或,InP,用作集成电路的衬底,毫米波系统毫米波雷达,毫米波雷达的应用主要集中在满足以下几个方,面的需求,进行高精度、高分辨测量,精确制导和目标指示,获得

23、宽带信号与增大回波信号多普勒带宽,获得高天线增益,获得高雷达能量(发射机平均功,率,发射天线增益和接收天线口径的乘积,获得精细的距离,多普勒图像和目标识别,测量复杂目标的结构,改善雷达的抗干扰能力,毫米波雷达,观测小尺寸目标,空间雷达,例如空间飞行器交汇雷达,受体积、重量严格限制的平台上的雷达,例如:安装在坦克、导弹、飞机,特别是直升,机和无人机等上的雷达,例如导弹上的寻的头,机载地形跟随、地形回避等,低角跟踪、测高、抑制多径干扰,窄波束、定向询问战场敌我识别,毫米波无源探测,毫米波雷达,搜索和目标截获,火控和跟踪,精确制导,测试,美国,LockheedMartin,公司,Startle,坦

24、克用搜索和,跟踪雷达,95GHz,4W,3km,美国,Norden,公司小型,RPV,监视雷达,95GHz,2kW,3km,英国,Searcherz,94GHz,装载巡逻艇上监视海上目,标,德国,KORA,雷达,94GHz,战场侦察和地物测绘,美国,TRAKX,双频段跟踪雷达雷达,Ka,和,X,波段,毫米波雷达,续,美国,Seatracks,舰载火控雷达,Ka,波段,美国,M,109,坦克载高分辨率快速扫描雷达,70GHz,500W,英国宇航局,94GHz,机载雷达用于地面目标侦,察与识别,美国麻省林肯实验室,IRAR,机载高分辨率多传,感器系统包括毫米波雷达,85.3GHz,CO,2

25、,激,光和,GaAs,激光,毫米波雷达,续,美国佐治亚理工学院,HIPCOR,95,高功率相,参雷达,95GHz,1kW,用于目标特性测量,为研制毫米波侦察、监视和目标探测设备提,供技术支持,美国佐治亚理工学院,HIRES,95,雷达目标三,维成象雷达,95GHz,用于测量近距离,60m,180m,目标反射的极化散射矩阵,毫米波雷达,续,直升机载防撞和多功能雷达,美国阿帕奇武装直升机载,AN/APG78,型,Ka,波段,长弓雷达:有源相控阵,对运动目标,8km,对,静止目标,6km,美国,MARCELDASSAULT,公司,SAIGA,雷达,35GHz,对,90kV,电力线探测距离,1.5

26、km,法国,Thomson,公司,ROMEO,防撞雷达,94GHz,FWCW,1W,高压线,500,德国,AEG,Telefunken,公司直升机防撞雷达,59.1GHz,脉冲功率,3W,2.4mm,导线,200m,毫米波有源相控阵,毫米波有源相控阵,美国,LockheedMartin,公司二维有源相控阵,发射频率,60GHz,30,元,5,6,波束宽度,18o,尺,寸,49mm,13mm,接收频率,20GHz,128,元,96,个有源,32,个无源,低噪声放大,3,位数字移相,波束宽,10o,尺寸,71,116.8mm,日本三菱公司通信实验室,Ka,波段有源相控阵,发射频率,28.05GH

27、z,带宽,4,口径,2.2m,接收频率,18.25GHz,带宽,5,口径,1.5m,由,38,个子阵构成,每个子阵,64,元,毫米波制导,毫米波制导是毫米波技术的重要应用领域,毫米波介于微波和红外波段之间,它避免了,光电制导系统全天候作战能力差的弱点,同,时具有较高的制导精度和抗干扰性能,而且,体积小、重量轻,但工艺技术难度较大,成本较高。近年来毫,米波元器件,特别是固体器件的迅速发展,使毫米波制导系统开发和应用出现高速发展,的势头,成为军事电子领域的热点,毫米波制导,毫米波导引头的任务是从复杂的杂波和干扰背,景中检测出目标反射或辐射的信号,提取制导,信息并形成控制指令,毫米波制导方式可分为主

28、动、半主动和被动,主动制导就是用雷达跟踪目标,半主动制导实际上是双站雷达寻的系统,由,大功率照射雷达与弹上末制导接收机和跟踪器,组成。照射的信号经目标反射,被弹上末制导,接收并跟踪目标,毫米波制导,被动制导也称无源制导,有两种,一是利用目标的自然辐射与背景辐射之差从,背景中检测目标,这种系统常称为辐射计,二是反辐射导引头,在主动或半主动导引头近距离跟踪目标时,由于角闪烁可能导致丢失目标,对此,可采,用宽带和捷变频技术,也可主动与被动复合,制导,在近距离(例如,200m,300m,转为被,动制导,毫米波制导反坦克导弹,美国黄蜂,WASP,导弹,美国,幼畜,Maverick)AGM-65H,导弹

29、,美国,海尔法,Hellfire,导弹(意译为,地狱火”,俄罗斯直升机米,28,上装的,AS,8,导弹,俄罗斯的改进型,螺旋,Spiral)AT-6,导,弹,毫米波制导防空导弹,爱国者导弹,PAC,PAC,1,PAC,2,PAC,3,美陆军于,99,年在白沙靶场进行了,PAC-3,寻的,头拦截试验,爱国者导弹,PAC-3,已列入,TMD,系统,正向亚洲,扩充,欲将日、韩及台湾纳入该系统,毫米波制导的灵巧弹药,灵巧弹药,Smartmunitions,,又称自导弹药,Self-guidedmunitions,,国外也称为智能弹药,实际上这是一种小型自主制导式导弹、炸弹和炮弹,灵巧弹药对体积重

30、量功耗以及战场恶劣环境中工,作等方面的要求,使毫米波集成技术成为其优选制,导技术,由于其作用距离一般较近(典型值,3km,左,右),可采用固态源,灵巧弹药和末敏弹,末敏弹,terminalsensingmunitions,和末制导,炮弹将两者结合,大大提高了火炮的威力,美国,BAT,灵巧反坦克弹药,英国,梅林,Merlin,末制导炮弹(意译为,灰,背隼”,英、法、瑞士、意大利联合研制末制导迫击炮弹,鹰狮,Griffen,萨达姆,SADARM,末敏弹,德国,斯玛特,SMART,自动瞄准子母弹,北约,MLRS,多管火箭发射系统,反辐射导弹,反辐射导弹,ARM,Anti-RadiationMissile,是一种集侦察、抗干扰、摧毁于一体的电子硬杀伤,性武器,它采用导引头截获、跟踪目标雷达辐射的电磁波,并引导导弹命中和摧毁敌方雷达或其它电磁波辐射,源,AGM-88HARM,高速反辐射导弹,91,年沙漠风暴行动中,多国部队主要利用,HARM,攻击,和压制伊拉克防空雷达,99,年,5,月美国及其北约盟国使用了,1000,多枚,HARM,导,弹,毫米波系统毫米波通信,未来通信的目标是实

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3.毫米波/太赫兹器件产品中心瑞贝斯毫米波/太赫兹器件 太赫兹器件 V,E,W,D波段器件汇集 毫米波放大器 毫米波混频器 毫米波天线 毫米波转接器 毫米波衰减器 毫米波振荡器 毫米波倍频器 毫米波检波器 毫米波开关 毫米波环形器/隔离器 毫米波无源器件 毫米波测试 毫米波二极管 卫通产品毫米波/太赫兹器件...https://www.rebes.net/product.php?pid=13
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3.探索新概念6毫米波雷达三大核心元器件MMIC芯片和雷达专用处理器是毫米波雷达工作流程中最核心的两大元器件。MMIC芯片负责将中频信号转化为数字信号,数字信号再传输到毫米波雷达专用处理器上,除这两大元器件外,天线高频PCB板也是毫米波雷达的重要材料。 (1)MMIC射频芯片 毫米波雷达的测速和测距性能主要取决于MMIC芯片的性能。MMIC射频芯片全称单片微波集成电...https://toujiao.sfccn.com/newsdetail?id=1611
4.5G常用术语和缩略语5G 中使用的空中接口 (OTA) 测试方法,被测器件 (DUT) 安装在按方位角和仰角旋转的定位器上。通过这一方式,可以对整个 3D 球面上任意角度的被测器件进行测量。DFF 方法可以执行非常全面的测试,测量多个信号,但是在测量毫米波器件时需要更大的测试暗室。 https://www.fanyedu.com/content/113588.html
5.铜川市人民政府办公室关于印发《铜川市光电子产业高质量发展三年...行动方略:(1)开展商用毫米波芯片研发工作,攻克毫米波SIP集成封装、毫米波器件、毫米波模块设计等关键技术,实现我国自主可控、成本超低的毫米波芯片的商业化生产。(2)依托铜川九方迅达微波系统有限公司拓展上下游产业链,大力支持、招引相关高科技企业来铜发展。 http://www.tongchuan.gov.cn/resources/site/1/html/zcwj/zfgb/2021ndsq/szfbgswj/202111/632729.html
6.毫米波收发组件射频、微波及毫米波器件、组件及子系统及相关数字化产品的研制、生产与技术服务为主营业务的原始研发、制造商 关键词: 滤波器 微波器 微波器件 微波组 所属分类: 产品中心 产品咨询: 0551-65321339 产品询价 返回列表 产品描述 描述:工作于Ka波段,完成三路接收、一路上变频、功率放大及信号调制,内置捷变频频率综合...https://www.star-wave.com/product/82.html
7.毫米波人体扫描仪市场:过去现在和未来AnalogDevices如之前的图所示,ADI公司可以为毫米波人体扫描仪提供从比特到天线和从天线到比特的完整信号链解决方案。借助广泛的射频、微波和毫米波器件产品系列,集成商一定可以找到满足其性能和价格预期的合适器件。要提供从比特到天线的完整天线解决方案,需要具备必要的产品系列、经验和技术支持,而ADI是业内仅有家满足这一条件的公...https://www.analog.com/cn/thought-leadership/millimeter-wave-body-scanners-market-past-present-and-future.html
8.我国毫米波芯片刷新世界纪录!探测距离38.5米GaN具有高电子迁移率和击穿场强等优点,器件功率密度是GaAs功率密度的5?倍以上,可显著地提升输出功率、减小体积和成本。随着GaN材料制备技术的逐渐成熟,GaN器件和电路已成为化合物半导体电路研制领域的热点方向,美国、日本、欧洲等国家将GaN作为微波毫米波器件和电路的发展重点。近十年来,GaN的低成本衬底材料碳化硅(SiC)也...https://ee.ofweek.com/2021-02/ART-11000-2807-30485861.html