集成光电子芯片根据生产工艺和材料，主要分为氮化硅，硅基和铟磷基集成光电芯片。其中硅基光电芯片生产平台可与CMOS生产平台兼容，但无法将有源器件单片集成到芯片中；氮化硅光电芯片具有较低损耗，但也无法单片集成有源器件，且成本较高；而铟磷集成光电芯片使用直接带隙材料，可单片集成有源无源器件，具有较快电光调制效应。
什么是InP铟磷集成光电子芯片？将有源（例如激光器，光放大器，相位调制器，光探测器等）与无源元件（例如波导,AWG,MMI,MZI等）通过半导体工艺集成到微小芯片中，该技术是目前唯一可真正单片集成激光器的技术。
InP铟磷集成光电子芯片中可包括哪些基本元件？例如波导(waveguide)，耦合器(coupler)，滤波器(filter)，激光器(laser)，相位调制器(phasemodulator)，多模干涉器(MMI)，开关(switch)，光探测器(photodiode)，光放大器(opticalamplifier)，反射器(reflector)，阵列波导光栅(arrayedwaveguidegrating)，光栅(Grating)，法布里珀罗激光器(Fabry-Perotlaser)等。
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