本发明属于太阳能电池，具体涉及一种采用湿法氧化进行高温硼扩散的方法。
背景技术：
1、太阳能电池的心脏是一个pn结。硅晶体的特点是原子之间靠共价键连接在一起，硅原子的4个价电子和它相邻的4个原子组成4对共有电子对。这种共有电子对就称为“共价键”。硅片掺进硼后，由于硼原子的最外层有3个价电子，必有一个价键上因缺少一个电子而形成一个空位，我们称这个空位叫“空穴”。这种依靠空穴导电的半导体称为空穴型半导体，简称p型半导体。同样，磷(p)原子的最外层有五个价电子，只有四个参加共价键，另一个不在价键上，成为自由电子，掺入磷的半导体起导电作用的，主要是磷所提供的自由电子，这种依靠电子导电的半导体称为电子型半导体，简称n型半导体。
技术实现思路
2、为了解决上述问题，本发明所采用的技术方案如下：
3、一种采用湿法氧化进行高温硼扩散的方法，在高温硼扩散过程中，采用水蒸气和氧气进行湿氧氧化工艺；采用水蒸气和氧气进行湿氧氧化工艺，替代传统干氧的工艺，对于光伏制备环节的提效提产有重大作用。
5、采用湿法氧化进行高温硼扩散的方法，具体包括以下步骤：
6、(1)通氮进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，送至炉管内，并保证管内是正压状态；
7、(2)前氧化处理，升温至氧化温度，在一定氮气和氧气流量下进行氧化；
8、(3)通源沉积，按照温度860℃，并保持一定的氮气、氧气和三氯化硼流量进行沉积；
9、(4)高温推结，按照温度930-990℃，在一定氮气和氧气流量条件下进行推结；
11、(6)通氮出舟。将工艺处理后硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，送出炉管，并保证管内是正压状态。
14、所述采用湿法氧化进行高温硼扩散的方法，步骤(3)，氮气流量3000sccm，氧气流量2000sccm，三氯化硼流量300sccm的条件进行沉积。
15、所述采用湿法氧化进行高温硼扩散的方法，步骤(4)，氮气流量6000sccm，氧气流量2000sccm的条件进行推结。
17、有益效果：与现有的技术相比，本发明的优点包括：
1.一种采用湿法氧化进行高温硼扩散的方法，其特征在于，在高温硼扩散过程中，采用水蒸气和氧气进行湿氧氧化工艺。
3.根据权利要求1或2所述采用湿法氧化进行高温硼扩散的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
6.根据权利要求3所述采用湿法氧化进行高温硼扩散的方法，其特征在于，步骤(3)，氮气流量3000sccm，氧气流量2000sccm，三氯化硼流量300sccm的条件进行沉积。
7.根据权利要求3所述采用湿法氧化进行高温硼扩散的方法，其特征在于，步骤(4)，氮气流量6000sccm，氧气流量2000sccm的条件进行推结。