1、半导体制造工艺NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片一一编批一一清洗一一水汽氧化一一一次光刻一一检查一一清洗一一干氧氧化硼注入一一清洗一一UDO淀积一一清洗一一硼再扩散一一二次光刻一一检查一一单结测试一一清洗一一干氧氧化一一磷注入一一清洗一一铝下CVD一清洗一一发射区再扩散外一三次光刻一一检查一一双结测试一一清洗一一铝蒸发一一四次光刻一一检查一一氢气合金一一正向测试一一清洗一一铝上CVD-一检查一一五次光刻一一检查一一氮气烘焙一一检查一一中测一一中测检查一一粘片一一减薄一一减薄后处理一一检查一一清洗一一背面蒸发一一贴膜一一划片一一检查一一裂片一一外观检查一一综合检查
2、一一入中间库。PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片一一编批一一擦片一一前处理一一一次氧化一一QC检查（tox）次光刻一一QC检查一一前处理一一基区CSD外覆一一CSD测淀积一一后处理一一QC检查（Rb）前处理基区氧化扩散QC佥查（tox、Rb）二次光刻一一QC检查一一单结测试一面前处理一一POC13淀积一一后处理（P）QC检查一一前处理一一发射区氧化一一QC佥查（tox）前处理一一发射区再扩散（Fb）前处理一一铝下CVD-QC佥查（tox、Fb）前处理一一HCl氧化一一前处理一一氢气处理一一三次光刻一一QC检查一一追扩散双结测试一一前处理一一铝蒸发一一QC检查（tA
3、i四次光刻一一QC检查一一前处理一一氮气合金一一氮气烘焙一一QC佥查（ts）一一五次光刻一一QC检查一一大片测试一前中测一一中测检查（一一粘片一一减薄一一减薄后处理一一检查一一清洗一一背面蒸发一外贴膜一一划片一一检查一一裂片一一外观检查）一一综合检查一一入中间库。GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为：编批一一擦片一一前处理一一一次氧化一一QC佥查（tox）次光刻一一QC佥查一前前处理一一基区干氧氧化一一QC检查（tox）一一一GR光刻（不腐蚀）一一GR硼注入一理湿法去胶一一前处理一一GR基区扩散一一QC检查（Xj、Fb硼注入一一前处理一一基区扩散与氧化一一QC佥查（Xj、to
4、x、Fb）二次光刻一一QC检查一一单结测试一一前处理一一发射区干氧氧化一一QC检查（tox）一一磷注入一一前处理一一发射区氧化和再扩散一一前处理一一POCI3预淀积（R）后处理一一前处理一一铝下CVD-QC佥查（tox）前处理一一氮气退火一一三次光刻一一QC检查一一双结测试一一前处理一一铝蒸发一一QC检查（tAi）四次光刻一一QC检查一一前处理一一氮气合金一一氮气烘焙一一正向测试一一五次光刻一一QC检查一一大片测试一一中测编批一一中测一一中测检查一一入中间库。双基区节能灯品种工艺流程为：编批一一擦片一一前处理一一一次氧化一一QC佥查（tox）次光刻一一QC佥查一前前处理一一基区
5、干氧氧化一一QC检查（tox）硼注入一一前处理一一基区扩散一一后处理一一QC佥查（Xj、Fb）前处理一一基区CSD测覆一一CSD测淀积一一后处理一一QC佥查（电）一一前处理基区氧化与扩散一一QC佥查（Xj、tox、Fb）二次光刻一一QC检查一一单结测试一一磷注入一一前处理一一发射区氧化一一前处理一一发射区再扩散一一前处理一一POCI3预淀积（Fb）后处理一一前处理一一HCI退火、N2退火一一三次光刻一一QC检查一一双结测试一一前处理一一铝蒸发一一QC佥查（tAi）四次光刻一-QC检查一一前处理一一氮氢合金一一氮气烘焙一一正向测试（ts）外协作（ts）一理前处理一一五次光刻一一
8、越高。肖特基二极管基本的制造工艺流程为：编批一一擦片一一前处理一一一次氧化一一Q也查（tox试一一P+光刻一一QC检查一一硼注入一一前处理一一P+扩散与氧化一一QC佥查（Xj,Rb,Iox）三次光刻一一QC佥查合一前处理一一铭溅射前酸一一铭溅射一一QC佥查（tcr硼一一先行片热处理一一先行片处理一一特性检测（先行片：Vbr,Ir）热处理一一后处理一一特性测试（VBRIR）合一前处理一一钛/铝蒸发一一QC佥查（tAi）合一四次光刻一一QC检查一一前处理一一氮气合金先行（Vbr,Ir）氮气合金一一特性测试（Vbr,Ir）大片测试一一中测一一反向测试（抗静电测试）一一中测检验一
9、一如中转库。目录外延气相外延生长机理错误！未指定书签。错误！未指定书签。外延层的杂质分布错误！未指定书签。外延系统和-L艺过程错误！未指定书签。外延质1目和如驮错误！未指定书签。三扩错误！未指定书签。清洗处理错误！未指定书签。前处理错误！未指定书签。腐蚀错误！未指定书签。预淀积错误！未指定书签。中处理错误！未指定书签。主扩散错误！未指定书签。后处理错误！未指定书签。氧化错误！未指定书签。检验错误！未指定书签。修片错误！未指定书签。编批打标错误！未指定书签。氧化错误！未指定书签。一、二氧化硅结构错误！未指定书签。二、二氧化硅性质错误！未指定书签。三、二氧化硅应用错误！未指定书签。四
11、定书签。对版错误！未指定书签。显影错误！未指定书签。标后检查错误！未指定书签。后烘坚膜错误！未指定书签。刻蚀错误！未指定书签。CVD.错误！未指定书签。一、APCVD常压CVD错误！未指定书签。二、LPCVD低压CVD错误！未指定书签。三、PECVD等离子增强CVD错误！未指定书签。钝化错误！未指定书签。清洗错误！未指定书签。自动清洗错误！未指定书签。手动清洗错误！未指定书签。中测错误！未指定书签。芯片后工序（减薄、背蒸）错误！未指定书签。磨抛错误！未指定书签。一、减薄错误！未指定书签。二、抛光错误！未指定书签。三、去蜡、清洗错误！未指定书签。四、检验错误
12、！未指定书签。背蒸错误！未指定书签。一、前处理错误！未指定书签。二、背蒸错误！未指定书签。三、金扩散错误！未指定书签。四、背蒸后QC佥3叙错误！未指定书签。五、背蒸返工处理错误！未指定书签。出厂检验错误！未指定书签。专业术语错误！未指定书签。一些测试仪器错误！未指定书签。外延在制造高频功率器件时，往往遇到一个击穿电压与集电极串联电阻对集电极材料电阻率的要求矛盾的问题，这时如果在低电阻率的单晶硅上外延生长一层高阻的外延层，器件做在外延层上，就能很好地解决以上的矛盾。外延层高电阻率保证击穿电压，低电阻率衬底使集电极串联电阻降低，减少器件功率损耗。在单晶硅衬底上沿着原来的结晶轴
13、方向延伸生长一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构及其完整性都符合要求的新的单晶层的过程叫做外延，这层新的单晶层叫做外延层。若外延层结构和性质与衬底材料相同叫做同质外延，反之叫异质外延。根据外延层在器件制造中的作用来分，器件直接做在外延层上的叫做正外延，做在原单晶层上，低阻的外延层反过来作为支撑衬底的叫反外延。外延方法主要有气相外延、液相外延、真空蒸发、高频溅射、分子束外延等，生产中常用的是硅的气相外延法。jp11:1气相外延生长机理硅的气相外延是硅的气态化合物在加热的硅衬底表面与氢发生反应或自身热分解还原成硅，并以单晶的形式淀积在硅衬底表面的过程。具体包括：(1)反应剂分子以扩散方式
14、从气相转移到生长层表面；(2)反应剂分子被生长层吸附；(3)被吸附的反应剂分子在生长层表面完成化学反应，产生硅及其它副产品；(4)副产品分子从表面解析，随着气流排出反应腔；(5)反应生成的硅原子形成晶格，或加接到晶格点阵上，形成单晶外延层。外延方法通常有SiCl4氢还原法和SiH4热分解法，两种化学反应方程式分别为：SiCl4+2H2=Si+4HCl(1200C)SiH4=Si+2H2(1100C)外延层的杂质分布外延层必须是经过掺杂的单晶层。从器件制造的角度考虑，总希望外延层具有均匀的一定量的单一杂质分布，而且要求外延层与衬底界面处杂质分布浓度陡峭一些。SiCl4氢还原法外延由
15、于在高达1200c高温下进行，衬底与外延层中杂质相互扩散，从而使衬底与外延层形成杂质浓度缓变分布，这就是外延中的扩散效应。这种效应是可逆的，生成的HCl对硅有腐蚀作用。在衬底腐蚀的同时其中杂质就释放出来，加之在高温外延过程中，高掺杂衬底中的杂质也会挥发，此外整个外延层系统中也存在杂质的沾污源，这三种因素造成的自掺杂效应严重影响了外延的杂质分布，外延电阻率做高也不容易。SiH4热分解法反应温度低，其化学反应激活能是1.6eV,比$巾4小0.36丫，可以在1100c时获得与1200c下SiCl4反应时相当的生长速率，同时这种方法不产生HCl,无反应腐蚀问题，因而扩散效应和自掺杂现象不如
16、SiCl4严重。如果采用“背封”技术和“二步法”外延，用SiH4热分解法就能获得较为理想的突变结和浓度分布。虽然SiH4热分解法外延有其好处，但是由于SiCl4氢还原法操作安全，SiCl4易纯化，且工艺成熟，目前仍然是生产中常用的方法。外延系统和工艺过程外延系统装置包括：气体分配及控制系统、加热和测温装置、反应室、废气处理装置。工艺过程包括：（1）衬底和基座处理：衬底处理主要是为了去除衬底圆片表面氧化层及尘粒，冲洗干燥后放入石墨基座内。对于已经用过的石墨基座应预先经过HCl腐蚀，去除前次外延留在上面的硅。（2）掺杂剂配制：掺杂剂有气态源，如磷烷PH,硼烷BH6等；液态源如POC3
17、、BBr3等，不同的器件对外延层电阻率及导电类型要求不同，必须根据电阻率精确控制掺杂源的用量。（3）外延生长：主要程序为：装炉一一通气，先通氮气再通氢气一一升温一一衬底热处理或HCl抛光一一外延生长一一氢气冲洗一一降温一一氮气冲洗。当基座温度降到300c以下时开炉取片。一,:方I-JpIJ:1外延质量和检验外延层质量应满足：晶体结构完整、电阻率精确而均匀、外延层厚度均匀且在范围内、表面光洁，无氧化和白雾、表面缺陷（角锥体、乳突、星形缺陷等）和体内缺陷（位错、层错、滑移线等）要少。外延质量检验内容包括：电阻率、杂质浓度分布、外延层厚度、少子寿命及迁移率、夹层位错与层错密度
18、、表面缺陷等。生产中通常检测项目是缺陷密度、电阻率和外延层厚度。外延层厚度测量方法有层错法、磨角或滚槽染色法、直读法、红外干涉法等。电阻率测量的方法有四探针法、三探针法、电容一电压法、扩展电阻法，对于外延层电阻率较高或者厚度较薄的外延层往往采用电容一电压法、扩展电阻法等。晶体缺陷包括体内和表面缺陷，体内缺陷包括位错和层错。位错通常由衬底中的位错延伸而成，当衬底表面存在机械损伤，片子在升降温过程中遭受巨大热冲击时，就会在晶体内产生大量位错，因此应该避免衬底硅片机械划伤和衬底不均匀升降温。位错的检验方法有铭酸化学腐蚀法、红外显微镜直接观察法、X射线衍射形貌照相法和扫描电子显微镜分析法等。层错有外
19、延层错和热氧化层错两种。当衬底表面存在划痕、杂质沾污、氧化物或局部杂质积累，而外延时晶核恰巧在这些不均匀区域内长大，就会破坏衬底原来的晶格原子的规则排列，造成外延层和衬底间的晶格失配。这是失配随着外延生长过程逐渐传播开来，一直到达晶体表面，成为区域性缺陷，这就是外延层错。防止外延层错，外延前先将衬底在外延炉反应室内进行HCl气相抛光，提高氢气浓度，控制好外延生长温度和速率等都是行之有效的方法。单位面积内的层错数量为层错密度。将外延片在按比例配成的二氧化铭、HF水溶液中腐蚀后，置于显微镜下观测，就能测出层错密度。表面缺陷通过肉眼和显微镜可以直接观察到，主要有划痕、雾状、角锥体、乳突、星形缺
22、外延，由于扩散沿着结深存在杂质浓度梯度，不像外延片的低阻层那样纵向分布均匀，因此做出的晶体管饱和压降不如外延片好，但是三扩采用成熟的常规扩散工艺，简便易行，可靠稳定，因此在生产中大量应用。三扩工序的基本流程是：前处理一一腐蚀一一预淀积一一中处理一一主扩散一一后处理氧化一一检验一一修片，具体步骤为：清洗处理,，jI在一一三四五六七八九十卜曹曹曹曹曹曹曹曹曹曹H二槽自动清洗机中进行，每个槽中需要超声清洗，每个槽的溶液分别为：:上料；:5%HF液；:5%HF液；纯求；:0.4%NaOHH+3F高纯清洗剂+H2O的混合液；:温纯水；:0.4%NaOHH+3F高纯清洗剂+H2O的混合液；
28、投料前要进行编批、打标。在编批车间的硅片分为几类：外延片：一般会在标签上标明衬底参数：厚度、半径、晶向、掺杂类型（N型或P型）以及杂质类型（掺P或者As、B等）、电阻率等，外延层参数有：外延厚度、掺杂类型（N型或P型）以及杂质类型（掺P或者As、B等），电阻率等，光面为外延面，在光面打上标记。经过氧化工艺后的单晶片：一般会在标签上标明衬底参数：厚度、半径、晶向、掺杂类型（N型或P型）以及杂质类型（掺P或者As、B等）、电阻率等，光面为氧化层面，在光面打上标记。双磨片：一般会在标签上标明衬底参数：厚度、半径、晶向、掺杂类型（N型或P型）以及杂质类型（掺P或者As、B等）、电阻率
29、等，两边都很粗糙，不分正反面，打上标签后的一面为正面。打标是利用激光打标机进行，设置程序后，把硅片放入就可以自动标号打标。有时机器产能不够会手工打标，但是由于人刻得力度不一样，刻出的字常常不均匀，由于有时要在硅片后面手工刻个标记，划片后可能导致芯片厚度不均匀，这样会影响装片。硅片打标之后要擦片，在自动擦片机上进行。氧化1957年发现用来制造晶体管的掺杂元素硼、磷、神、睇等在二氧化硅中的扩散系数比在硅中小得多。1960年二氧化硅正式被用为晶体管选择扩散的掩蔽膜，从而导致了硅平面工艺的诞生。一、二氧化硅结构I不热生长的二氧化硅薄膜具有无定形玻璃状结构，基本单位是一个有SiO原子组成的正四
31、有关，一般在（2.02.3）g/cm3之间。折射率通常为1.45左右，密度高折射率稍大。4、化学稳定性：二氧化硅的化学稳定性较高，它不溶于水和氢氟酸以外的酸。被氢氟酸腐蚀的化学方程式为：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NHF与纯水按一定比例配成缓冲液。三、二氧化硅应用1、作为杂质选择扩散的掩蔽膜：利用杂质元素在二氧化硅中的扩散系数比在硅中小得多的特性，用二氧化硅作选择扩散掩蔽膜能造出不同性能的半
32、导体器件；2、作为器件表面的保护和钝化层：在硅片表面覆盖一层二氧化硅薄膜，一方面可以避免硅表面被划伤以及各制造工序带来的杂质沾污，起保护作用；另一方面二氧化硅薄膜是表面的PN结与外面气氛隔绝，从而减弱了环境气氛对硅片表面性质的影响，提高了半导体器件的稳定性和可靠性，起到了钝化的作用；3、作为集成电路的隔离介质和绝缘介质；4、作为集成电路中电容器的介质材料；5、作为MOSFET勺绝缘栅材料；6、在其他半导体器件如太阳能电池中应用，能很好提高器件的性能。四、二氧化硅薄膜的制备二氧化硅薄膜的制备方法很多，如热氧化生长法、掺氯氧化法、热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、外延生长法和阳极氧化法等。生
33、产上常用的是热氧化生长法、掺氯氧化法、热分解淀积法三种。1、热氧化生长法把清洗干净的硅衬底置于高温下，并且通入氧气气氛，使衬底表面的一层硅氧化成二氧化硅。其又分为干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化和氢氧合成氧化等几种不同工艺。1)干氧氧化在高温下用干燥纯净的氧气直接与硅片外表面的原子反应生成二氧化硅。其反应方程式为：Si+O2=SiO2。氧化过程中，已形成的二氧化硅层阻止了氧原子与硅表面的直接接触，氧分子以扩散方式通过二氧化硅层到达二氧化硅一硅界面与硅原子发生反应，生成新的二氧化硅层使二氧化硅不断增厚。二氧化硅生长速度受氧分子在二氧化硅中的扩散速率和SiO2-Si界面处氧分子与硅原子反应速率的限
35、二氧化硅膜增厚，反应式为：Si-Si+2(Si-OH)=2(Si-O-Si)+H2上述两个过程中所形成的氢气迅速地沿着SiO2-Si界面散开，也可能与二氧化硅网络结构中的氧离子结合成羟基，即H2+2-O-=2-OH由于水汽氧化过程中二氧化硅网络不断遭到削弱，水分子或硅烷醇在二氧化硅中扩散加快，其扩散速度大于氧原子的扩散速度，所以水汽氧化速度比干氧氧化快得多。3)湿氧氧化将干燥纯净的氧气先经过一个水浴瓶，使氧气通过加热的高纯去离子水携带一定量的水汽，再通入氧化炉中，水汽的含量由水浴温度和氧气决定。湿氧氧化既有干氧氧化作用又有水汽氧化的作用，水汽氧化时氧化物质是一个大气压的水汽，干氧氧
37、氧化膜的性质，同时表面的硅烷醇或表面吸附的水分子转变成硅氧烷（Si-O-Si）,从而改善了二氧化硅表面与光刻胶的接触，使光刻时不易浮胶。这样做充分利用了干氧氧化和湿氧氧化的优点，解决了生长速率和工艺质量的矛盾。4）氢氧合成氧化湿氧氧化和水汽氧化都要用到高纯去离子水，如果去离子水的纯度不够高或者水浴瓶等容器沾污的话，就会使氧化膜的质量受到影响，为此将适当比例混合的高纯氢气和氧气通入氧化炉，在高温下先合成水汽，然后再与硅反应生成二氧化硅，就能得到高质量的二氧化硅薄膜。2、掺氯氧化法在氧化气氛中添加微量氯元素进行二氧化硅薄膜生长，能降低钠离子沾污，抑制钠离子漂移，获得高质量的氧化膜，提高器
38、件电性能和可靠性。常用的氯源有干燥高纯的氯气（Cl2）或氯化氢（HCl）和高纯的三氯乙烯（GHCb,液态）。掺氯氧化一般采用干氧氧化进行，这是因为水的存在会使氯不能结合到氧化膜中去，起不到降低可动钠离子、清洁氧化膜的作用，而且容易腐蚀硅片表面。掺氯氧化速率略大于普通干氧氧化，这是由于氯进入二氧化硅薄膜，使二氧化硅结构发生形变，氧化物质在其中的扩散速率增大的缘故。在掺氯热氧化工艺中，常用的三种氯源里由于氯化氢气体和氯气都是腐蚀性较强的气体，因此在生产上使用越来越多的是三氯乙烯。在高温下三氯乙烯分解生成氯气和氯化氢就用于掺氯氧化，而三氯乙烯本身腐蚀性不如以上两种气体，因此三氯乙烯是更具有发
41、化层。五、氧化装置氧化装置主要由三部分构成：1、氧化炉：又分为炉体、温度测量系统、温度控制系统、反应管四个部分，炉体提供稳定的高温条件，用高温电热丝加热，炉管用绝缘性好的氧化铝管，电热丝绕套在炉管上，外面衬以保温材料，最外层是钢板制的炉罩。温度测量用电热偶配上电位差计，温度控制系统分为自动和手动两部分，手动用调压变压器调控，自动用精密温度自控仪或者计算机控制。反应管用耐高温不易变形的石英管或性能更好但价格较贵的碳化硅管。2、氧化源发生和输送系统；3、进出硅片推拉系统。氧化装置和扩散装置结构基本相同，通常氧化都是在扩散炉中进行，具体步骤见扩散。六、二氧化硅薄膜质量1、厚度：要求在指标范
42、围内，且保持均匀一致。厚度测量要求精度不高时可用比色法、磨蚀法；精度高时，可用双光干涉法、电容一电压法；精度高达10A时用椭圆偏振仪，也是现在常用的方法。氧化膜的厚度不均匀不仅影响氧化膜对扩散杂质的掩蔽作用和绝缘作用，而且在光刻腐蚀时容易造成局部沾污。要提高膜厚均匀性，首先要控制好氧气的流量，保证反应管里硅片周围氧气和水蒸汽气压均匀；稳定炉温，保证足够长的恒温区；还要控制好水浴温度；氧化前做好硅片的处理，保证清洗质量和硅片表面质量。2、表面质量：要求薄膜表面无斑点、裂纹、白雾、发花、和针孔等缺陷。通常通过在聚光灯下目测或者镜检发现各种缺陷。氧化膜出现斑点会导致斑点周围的氧化膜对
43、杂质的掩蔽能力降低，会造成器件性能变坏，甚至做不出芯片来。一些突起的斑点还会影响光刻的对准精度，造成光刻质量不好，因此要保证氧化前硅片表面无微粒；石英管长期处于高温下易老化，内壁产生颗粒沾污硅片，要及时清洗、更好石英管；操作中注意避免水珠飞溅到硅片表面；硅片清洗后要烘干无水迹。针孔会使氧化层扩散时的掩蔽作用失效，引起晶体管漏电增大，耐压降低甚至击穿，还会造成金属电极引线和氧化膜下面的区域短路，使器件变差或报废。为了减少针孔，必须保证硅片表面质量无位错层错。硅片表面应平整光亮；加强整个器件工艺过程中的清洗处理。3、氧化层层错：将氧化片先经过腐蚀显示，再用显微镜观察，可以看到很多类似火柴
44、杆状的缺陷。氧化层层错会使得氧化膜出现针孔等，最终导致PN结反向漏电增大，耐压降低甚至穿通，使器件失效。在MO湍件中，Si-SiO2系统中的层错会使载流子迁移率下降影响跨导和开关速度。因此要保证硅片表面抛光质量和表面清洗质量，采用掺氯氧化和吸杂技术，在硅片背面引入缺陷或造成很大应力来降低热氧化层错。4、Si-SiO2系统电荷：包括Si-SiO2系统中的固定电荷、界面态、可动Na+和电离陷阱等，都可以通过电容一电压法检测。扩散掺杂的作用是制作N型或P型半导体区域，以构成各种器件结构。掺杂工艺的基本思想就是通过某种技术措施，将一定浓度的三价元素（如硼、睇）或五价元素（如磷、神等）掺入
52、击穿电压和反向漏电流，测双结主要为调电流放大系数HFE1、PN结反向击穿电压和反向漏电流：是晶体管的两个重要参数，也是衡量扩散层质量的重要标准。常见不良击穿有：管道型击穿、低击穿、沟道漏电、软击穿、鼓泡、曲线蠕变、双线等。过多或表面吸附了水分子或其他离子，会使表面漏电增大；氧化时由于清洗不好，有一些金属离子入钠离子进入氧化层，从而使得漏电增加，击穿降低；二氧化硅表面吸附了气体或离子以及二氧化硅本身的缺陷如氧空位等，使二氧化硅带上了电荷，形成了表面沟道效应，增大了反向漏电流；硅片表面上有重金属杂质沾污，在高温下很快扩散进硅片体内，沉积在硅内的晶格缺陷中，引起电场集中，发生局部击穿现象，
53、造成很大的反向漏电流。此外，如光刻时图形边缘不完整，出现尖峰毛刺，表面有合金点、破坏点，引起纵向扩散不均匀，PN结出现尖峰会形成电场集中，击穿将首先发生在尖峰上。因此，制造良好的扩散表面、保持表面清洁、严格清洗工艺、保证扩散系统清洁、保证气体纯度高、扩散源质量好、采用低位错密度材料、提高光刻质量或者采用吸杂工艺等，都能够起到改善器件击穿电压的作用。2、电流放大系数HFE是扩散层另外一个重要的参数。影响HFE的因素有：基区宽度、发射区与基区杂质浓度比、表面是否有沾污和复合等。减薄基区能够使放大提高；提高发射区浓度，降低基区浓度，从而增大浓度梯度，可以提高注入效率，减小复合，提高放大。