Flipchip工艺流程PPT课件02-金锄头文库

1、1.Metalbump金屬凸塊-C4process(IBM)2.Tape-Automatedbonding捲帶接合-ACFprocess3.Anisotropicconductiveadhesives異方向性導電膠-ACPprocess4.Polymerbump高分子凸塊-C4process5.Studbump.打線成球-ACPprocess(Matsushita)FlipChipconductivemethod-connecttoSubstrate/PCBC4:controlledcollapsechipconnection

2、ACF:anisotropicconductivefilmACP(ACA):anisotropicconductiveAdhesivepasteKingbondTrainingCourseKingbondTrainingCourseVariousflipchiptechnologiesPS:WIT(Wireinterconnecttechnology)TAB(Tape-automatedbonding)KingbondTrainingCourseVariousflipchiptechnologiesKingbondTraining

3、CourseStudBumpFlipChipBondUnderfillCureovenCureovenSBBProcessC4:ControlledCollapseChipConnectionProcessKingbondTrainingCourseReflowovenFlipchipbonderFluxcleanerUnderfilldispenserCureoven1.Fluxcoatingorre-printing2.MountingHeatingCleaningDispensingHeatingWaferbumpBumpbyso

4、lderACP:AnisotropicConductivePasteProcessReflowovenFlipchipbonderUnderfilldispenserCureovenThermosettingDispensingHeating1.PrinttheACA2.AlignmentWaferbumpBumpbyAgKingbondTrainingCourseACF:AnisotropicConductiveFilmProcessACFPre-setterFlipchipbonderPressandcureequipmentAC

5、FPre-setting1.MountingWaferbumpBumpbyAuKingbondTrainingCourseOvercoatwithpolymideandopenthebumpareas.PatternwettablebasemetalCoatchipwithpolymide,openviasovereachpadUseddry-filmlift-offprocesstodefinebasemetalandsolderoneachpadPatternaluminumtore-routeI/Oto

6、onareaarrayConventionalchipwithaluminumI/OpadsaroundtheperimeterTack,Flux&ReflowPrint,Place&ReflowKingbondTrainingCourseFCTBumpStructureSiliconwaferUBM-UnderBumpMetallurgySolderBumpFinalMetalPadDiePassivationWaferBumpKingbondTrainingCourse1.蒸鍍Evaporation2.濺鍍Sputte

7、r3.電鍍Electroplating4.印刷Printedsolderpastebump5.錫球焊接SolderballbumpingorStudbumpbonding(SBB)6.無電鍍鎳ElectrolessnickeltechnologiesMetalbumpmethodUBMKingbondTrainingCourse1.95Sn/5Pb,97Sn/3Pb高溫錫鉛合金2.63Sn/37Pb低溫錫鉛合金3.Ni鎳4.Au金5.Cu銅MaterialofsolderbumpKingbondTrainingCo

8、urseSiliconWaferarriveswithanaluminumbasedfinalmetalpadanddiepassivation.Wafercanbeprobedpriortobumping.Waferbump(Printedmethod)Process:WafercleanKingbondTrainingCourseTheUnderBumpMetallurgyisaddedbyFCTthroughsputteredlayersofAl,Ni-V,&CuWaferBump(Printedmeth

9、od)Process:SputterUBMAl/Ni/Cu(Au)KingbondTrainingCourseUBMconsist3layer:1.Adhesionlayer:Ti,Cr,TiW提供鋁墊(Alpad)與護層(Passivationlayer)有較強之黏著性2.Wettinglayer:Ni,Cu,Mo,Pt高溫迴焊時錫球可完全沾附而成球3.Protectivelayer:Au保護Ni,Cu等免於被氧化.WaferBump(Evaporationmethod)Process:SputterUBMKingbondTrain

10、ingCourseApplyphotoresist,PatternanddevelopWaferBump(Printedmethod)Process:Photo-resistKingbondTrainingCourseEtchtoformUBMcapWaferBump(Printedmethod)Process:EtchUBMKingbondTrainingCourseDepositsolderpasteandreflowtoformbumpWaferBump(Printedmethod)Process:Printso

11、lderpaste&reflowSn/Pb63/37低溫95/5高溫KingbondTrainingCourseSamplemeasurebumpheight,bumpshearandbumpresistance.WaferBump(Printedmethod)Process:InspectionKingbondTrainingCourse1.Evaporativebumpsare125milsindiameterand100milshigh.2.Platedbumpsare125-175milsindiam

12、eterand25-100milshigh.Thetypicalsizeofabumpbeforereflow:KingbondTrainingCourse製程名稱製程名稱::晶片背面黏貼晶片背面黏貼WafermountingWafermounting生生產產設備設備::晶片背面黏貼機晶片背面黏貼機檢驗設備檢驗設備::顯微鏡顯微鏡製程製程說說明明::將膠帶黏貼於晶片背面將膠帶黏貼於晶片背面,,避免晶避免晶片切割時分離片切割時分離..設備名稱設備名稱::檢驗重點項目檢驗重點項目::1.1.晶片方向晶片方向Dieorientation

13、Dieorientation2.2.氣泡氣泡AirbubbleAirbubble3.3.表面皺紋表面皺紋WrinkleWrinkle製程圖例製程圖例::KingbondTrainingCourseProcess:InspectwaferKingbondTrainingCourse晶片切割晶片切割DieSawDieSaw生生產產設備設備::晶片切割機晶片切割機檢驗設備檢驗設備::顯微鏡顯微鏡製程製程說說明明::依據晶粒尺寸大小依據晶粒尺寸大小,,利用切割刀利用切割刀具具,,將晶片切割成將晶片切割成單顆的晶粒單顆的晶粒..1.1.切割道

14、寬度切割道寬度StreetwidthStreetwidth2.2.崩裂崩裂CrackCrack製程圖例製程圖例::設備名稱設備名稱::檢驗重點項目檢驗重點項目::KingbondTrainingCourse上晶片上晶片FlipChipFlipChip生生產產設備設備::晶片上片機晶片上片機檢驗設備檢驗設備::X-RAYX-RAY影像觀測機影像觀測機製程製程說說明明::依據晶粒尺寸大小依據晶粒尺寸大小,,利用上晶片利用上晶片機將單顆的晶粒機將單顆的晶粒,,分別植入基板分別植入基板或模組或模組..1.Bump1.Bump定位與定位與焊焊接情形接情形

15、2.2.晶片崩裂晶片崩裂Crack,Crack,有無短路有無短路,,斷路斷路製程圖例製程圖例::設備名稱設備名稱::檢驗重點項目檢驗重點項目::ChipBumpSubstrate/ModuleKingbondTrainingCourse上晶片流程上晶片流程FlipChipflowFlipChipflowC4processKingbondTrainingCourse上晶片流程上晶片流程FlipChipflowFlipChipflowACF&ACPKingbondTrainingCourse填膠填膠Under-fillUnder-fill設備名

16、稱設備名稱::生生產產設備設備::填膠機填膠機檢驗設備檢驗設備::X-RAYX-RAY影像觀測機影像觀測機製程製程說說明明::利用填膠機將已完成植入基板或利用填膠機將已完成植入基板或模組之每單顆的晶粒模組之每單顆的晶粒,,分別以填膠分別以填膠注入注入..1.1.有無球有無球脫脫或晶圓偏移或晶圓偏移製程圖例製程圖例::檢驗重點項目檢驗重點項目::KingbondTrainingCourseWhydoyouneedtounderfillWhydoyouneedtounderfillSolderjointreliabilityforflip

17、chipsisbasedonseveralfactors:Solderjointreliabilityforflipchipsisbasedonseveralfactors:1.Bumpalloytype2.Solderjointheight(standoff)3.DistancetoneutralpointorDNP.(Ameasurementofthecenterofmassofthedietothefarthestbumponthedie,typicallythecornerbump.)Kin

18、gbondTrainingCourse填膠製程填膠製程Under-fillUnder-fill1.1.毛細作用型毛細作用型Capillarytype):Capillarytype):利用毛細力造成膠材之流動利用毛細力造成膠材之流動..2.2.異方向導電膠異方向導電膠(Anisotropicconductiveadhesive):(Anisotropicconductiveadhesive):低溫製程低溫製程,,分膏狀分膏狀(paste)(paste)和膜狀和膜狀(film)(film)3.3.前置型前置型(Pre-appliedtype):(Pre-app

19、liedtype):小尺寸晶片小尺寸晶片(6mm),(6mm),點膠點膠(Dieattachment)(Dieattachment)後再迴後再迴焊焊(Reflow)(Reflow)KingbondTrainingCourse填膠製程填膠製程Under-fillUnder-fill製程與材料之限制製程與材料之限制::1.1.加強快速填膠與固化能力加強快速填膠與固化能力2.2.提昇其介面之黏著力提昇其介面之黏著力3.3.較低的吸水率較低的吸水率4.4.提昇低錫鉛球間距提昇低錫鉛球間距內內的流動性的流動性5.5.加強可重工性加強可重工性(rework)(rewor

20、k)KingbondTrainingCourse製程名稱製程名稱::填膠烘烤填膠烘烤UnderfillcureUnderfillcure製程製程說說明明::生生產產設備設備::填膠烤箱填膠烤箱檢驗設備檢驗設備::將填膠後之將填膠後之產產品品,,利用烤箱進行烘利用烤箱進行烘烤作業烤作業,,以消除以消除內內部所留之應力部所留之應力及固化填膠及固化填膠..顯微鏡顯微鏡斷層掃瞄機斷層掃瞄機SATSAT製程圖例製程圖例::烘烤烘烤檢驗重點項目檢驗重點項目::1.1.膠體膠體MoldbodyMoldbody設備名稱設備名稱::KingbondTraining

21、Course製程名稱製程名稱::雷射正印雷射正印LasermarkingLasermarking生生產產設備設備::雷射正印機雷射正印機檢驗設備檢驗設備::將文字將文字//字號以雷射正印到晶片字號以雷射正印到晶片背面區域背面區域,,用以辨識用以辨識產產品及批號品及批號追蹤等等追蹤等等..設備名稱設備名稱::顯微鏡顯微鏡製程圖例製程圖例::檢驗重點項目檢驗重點項目::1.1.文字文字內內容容ContentContent2.2.位置方向位置方向OrientationOrientation3.3.易辨讀易辨讀LegibilityLegibility製程製程

22、說說明明::KingbondTrainingCourseEvaporativesolderbumpingprocessWafercleanEvaporationofUBMthroughmetalmaskEvaporationofhighPbsolderthroughmaskReflowtoformsolderballA.B.C.D.95Pb/SnUBM:Cr/Cr-Cu/Cu/AuPolymidepassivationKingbondTrainingCourseElectroplatedUBMw/solderbumpingproc

23、essSputteredUBMApplyphotoresist,patternanddevelopApply2ndlayerofphotoresist.Pattern&develop.ElectroplatesolderReflowsolderA.B.D.E.PhotoresistAluminumTiW/CuorCr/CuElectroplatethickCulayerandAuCopper“Stud”or“mini-bump”C.Pb/SnStripphotoresistandetchtheUBMF.KingbondTrainingCourse

THE END
1.underfill是什么工艺?Underfill是一种底部填充工艺,其名称是由英文“Under”和“Fill”两个词组合而来,原意是“填充不足”或“未充满”,但在电子行业中,它已逐步演变成一个名词,指代一种特定的工艺。 Underfill工艺主要应用于电子产品的封装过程,尤其是在芯片级封装(CSP)和球栅阵列(BGA)等领域。通过利用毛细作用原理,Underfill工艺迅速将...https://www.elecfans.com/d/2633216.html
2.倒装片装配的设备和工艺基础电子工艺流程 综合排列式(inline)流程可以使焊球焊接的效果达到,因为这种工艺流程把材料传送、组装及处理设备的优势紧密结合在一起,包括基板传送、焊剂分配、焊球焊接、回流焊和清理等。根据基板的传送方式还可增加其它配置。 在瓷质基板的焊球焊接中,焊接球面通常有一个高含锡层,以调整封装裸露造成的热分配不足。该球面...https://www.dzsc.com/data/2008-8-18/67174.html
3.一文了解芯片封装及底部填充(Underfill)技术(下)WLUF工艺首先在有凸点或无凸点的晶圆片上采用印制或涂敷添加一层underfill,然后进行部分固化。对于尚未制作凸点的晶圆,则需在划片前制作凸点,然后再进行划片。每单个芯片均可以通过标准的SMT工艺实现与基板的互连,工艺流程如图所示。 与NUF相同,WLUF也要求含有适当的助焊剂,填料含量很少甚至没有,以达到100%的焊点连通...http://www.ictest8.com/a/technology/2024/03/Underfill.html
4.一种半导体封装结构的制作方法45.如图4a所示,形成现有技术半导体封装结构的工艺流程1可以包括:负载(load)、表面贴装技术(smt)、倒装芯片、回流焊接(reflow)、去除阻焊剂(deflux)、印刷电路(pcb)预烘烤、底部填充胶(uf)等离子体、底涂(underfill)、uf固化、pcb预烘烤、裸片贴合(形成间隔件)、裸片贴合(形成存储器裸片,例如,形成nand)和裸片贴合固...http://mip.xjishu.com/zhuanli/59/202222499290.html
5.underfill技术概论(underfill的概念).docxUnderfill技术概论 Contents TOC\o”1-5”\h\z 摘要 Underf川工艺是伴随着SMT封装工艺而产生的附加工艺,在电子行业应用较为广泛,笔者从多年的underfill技术工作中总结出UnderfilI艺涉及的方方面面,从underfill的材料和设备及underfill技术发展史谈起,再谈到underfill具体的实施和验证环节,最后提及Underfill技术的发展趋势...https://max.book118.com/html/2022/0215/8122027134004056.shtm
6.底部填充工艺(underfill)对胶黏剂有哪些要求呢媒体视角底部填充工艺(underfill)就是将环氧树脂胶水点涂在倒装晶片边缘,通过“毛细管效应”,胶水被吸往元件的对侧完成底部充填过程,然后在加热的情况下胶水固化,其毛细流动的最小空间是10um。这也符合了焊接工艺中焊盘和焊锡球之间的最低电气特性要求,因为胶水是不会流过低于4um的间隙,所以保障了焊接工艺的电气安全特性。为...http://www.sanbang88.com/news/mtsj/369.html
7.客制化流程ODM客制化案例ODM客制化三防/Underfill 特殊版型 控制按键 触摸方式 显示效果 安装方式 防尘防水 防电磁干扰 防盐雾防腐蚀 防震抗冲击 强光可视 外观结构 通讯距离 线材穿管 表面工艺 机身材质 显示尺寸 < > ODM客制化流程 ODM customized process 1· 项目询问 2· 规范审批 3· 报价 4· 项目启动 5· 硬件设计 6· 设计...http://www.shangcon.com/Lists/2.html
8.Underfill底部填充点胶机技术应用和优势ASYMTEK点胶机精密点胶机Underfill目的是加固BGA焊点,当前很多产品BGA间隙小至几十微米甚至纳米级,相当考验underfill的流动性与焊点间pitch的毛吸,需要均匀流到die底部,减少空洞率,这样最终起到保护焊点的作用。 underfill工艺在半导体一级封装领域应用很广泛并且已有十几年的历史,目前在对可靠性要求比较高的SMT领域,例如手机,CCM,指纹识别等需要...http://www.szolks.cn/mobile/info-detail/i-46.html
9.underfill底部填充胶选择技巧underfill针对哪类零件underfill二次过...底部填充胶(underfill)又称围堰填充胶、包封剂,是依靠毛细作用流动的环氧类底部填充剂,主要用于提高倒装芯片的组装可靠性;因为在填充剂固化后,可提高芯片连接后的机械结构强度。 底部填充工艺主要是考虑到某些细间距IC与PCB板之间的连接较为脆弱,容易断裂,而在芯片与基板之间灌充底部填充剂,用以分散和消除焊点周围的应...https://www.bmlink.com/SZDQ/news/487578.html
1.底部充胶Underfill填充流程底部充胶 Underfill 填充流程5.6 、Underfill 工艺控制要求561、如果客户没有特殊要求一般的产品BGA填充建议直接使用人工充胶,普通的气动式充胶机(脚踏型)就可以完成点胶过程。但如果客户要强调点胶精度和效率的 话可以选用各种在线或离线的点胶平台或全自动点胶机。5.6.2 、从冰箱取出胶水回温至少 4 小时以上,禁止采用...https://m.renrendoc.com/paper/121821030.html
2.underfill工艺制程及产品检验方法202306目前,行业内主流Underfill工艺大致可分为三类:毛细管底部填充(CUF)、模塑底部填充(MUF)、预成型底部填充技术(PreassemblyUnderfill)。不同工艺类型的Underfill技术在不同场景分别应用,以保证所对应封装流程的完整性与稳定性。 毛细管底部填充工艺原理:利用毛细作用(液体表面对固体表面的吸引力)使得胶水迅速流过BGA /PCB芯片...https://eleadtech-global.com/news-detail/92
3.基础工艺知识图3-2 SMT技术的组成 SMT组装工艺流程 表面组装方式确定后,就可以根据需要和具体条件(或可能)选择合理的工艺流程,不同的组装方式有不同的工艺流程。同一种组装方式也可以有不同的工艺流程,这主要取决于所用元器件的类型和电子装备对电路组件的要求以及生产的实际条件。不同组装方式的典型流程有十几种,在实际生产...https://m.mayiwenku.com/p-8470362.html
4.中金:国产替代加速半导体材料行业成长硅片是半导体产业链的基石,大部分集成电路的制造流程都是在半导体硅片上进行加工,经过一系列例如光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等工艺,再经过测试与封装形成各种电路元件。硅片的制造环节分为拉晶及后端加工,拉晶工艺是硅片制作核心工艺之一,主要流程为将电子级高纯度多晶硅拉制成单晶硅锭,后端加工分为切片、研磨、抛光等...https://www.gelonghui.com/p/590894
5.MiniLED背光厂商40强一览Mini LED工艺流程大致如下图所示:分选、印刷、检测、固晶、检测、返修、测试等。 五、MiniLED背光的厂商 Mini LED背光厂商从数量上来看大致有40余家,主要分布在广东、安徽、江苏、江西,台湾几个省。福建、湖北、四川、北京、吉林也有少数厂商。从城市来看,深圳、苏州(昆山)、合肥等地MiniLED背光厂商最多。 http://m.eepw.com.cn/article/202204/433658.html
6.汉高DieAttachUnderfillGlobeTop在半导体封装中的应用Die Attach(芯片贴装)封装流程包括:1)使用粘片胶将芯片粘于基板上,通过金片或者铜线将芯片与基板连接;2)进行涂层后针对BGA等封装形式进行粘球,将小型吸球粘在芯片背面;3)针对QSP、QSN以及SOIC等具有管脚的类型,下部将进行清洁与电镀;4)针对倒装工艺,使用Underfill胶完成倒装工艺。https://www.ibuychem.com/expert/article/2580757