今年2月22日半导体供应链消息传出的最新消息：
台积电将挤下三星，拿下了苹果全部的5G射频芯片订单，最快有望应用于今年推出的新一代iPhone14产品。三星近些年一直在与台积电争夺苹果手机A系列处理器的晶圆代工订单，但总体来看，三星在竞争中明显处于下风。
台积电有自己开发的先进封装技术InFO，而三星则没有。
这让先进封装技术又一次在半导体行业大放光彩，要知道：
在这几十年，可能是因为摩尔定律的光芒过于耀眼，让整个半导体行业几乎都聚焦与先进制程；
这让封装产业在这几十年的技术突破缓慢，也被行业所轻视。
让台积电在竞争中取胜的先进封装技术InFO到底是什么？本文我们将以两个维度来讲解一下：
首先，第一个维度的讲解比较轻松：
其实，台积电在2017年才对外正式宣布集成式FanOut技术（InFO）。
在此之前台积电的研究重心都在另一个名为CoWoS的技术上，我们也可以说集成式FanOut技术（InFO）的诞生绝对离不开CoWoS技术。
简单来说：集成式FanOut技术（InFO）是使用聚酰胺薄膜代替CoWoS中的硅中介层，从而降低了单位成本和封装高度。
说到集成式FanOut技术（InFO）的诞生，这里不得不说一个小插曲：
早在2015年年初，三星Galaxy系列手机的火热让苹果感受到愈来愈大的压力。当时的苹果仍无法摆脱对三星的依赖，哪怕直到2016年的iPhone6s的生产，尽管苹果已经引进台积电，但仍须将部分订单交予三星代工。
2016年台积电的CoWoS技术已经日渐成熟，理论上可让处理器减掉多达70%的厚度。
但，其高昂的成本却让客户望而却步：
相对比价格每平方毫米1美分的基准价格，使用CoWoS的价格将会是其5倍以上。
于是乎，更简洁更经济的集成式FanOut技术（InFO），应运而生了！
接下来，第二个维度需要我们更加严谨的讲解：
要想深入了解集成式FanOut技术（InFO），关键是要了解什么是FOWLP：
FOWLP的英文全称为：Fan-OutWaferLevelPackaging；中文名为：扇出型晶圆级封装。
在WLP技术出现之前，传统封装工艺步骤主要在裸片切割分片后进行，先对晶圆（Wafer）进行切割分片（Dicing），然后再封装（Packaging）成各种形式。WLP于2000年左右问世，有两种类型：Fan-in（扇入式）和Fan-Out（扇出式）：WLP晶圆级封装和传统封装的区别在于：WLP晶圆级封装在封装过程中大部分工艺过程都是对晶圆进行操作，即在晶圆上进行整体封装（Packaging），封装完成后再进行切割分片。开始WLP多采用Fan-in型态，可称之为Fan-inWLP或者FIWLP，主要应用于面积较小、引脚数量少的芯片。
但，随着摩尔定律在工艺技术上似乎已走到了尽头，先进封装技术也又重新回到了科技变新的快船上。
如扇出晶圆级封装(FOWLP)的诞生，就可以提高组件密度和性能,有助于解决芯片I/O限制。
FOWLP：其封装过程包括将单个芯片安装在称为重分布层(RDL)的中间层基板上，该层提供芯片之间的互连以及与I/O焊盘的连接，再将所有这些芯片都封装在一个模压成型中。所谓扇出封装，其实就是将连接件扇出到芯片表面，以便实现更多外部I/O，使用环氧模压化合物完全嵌入片芯(die)；因此不需要晶圆植球、熔剂、倒装芯片组装、清洗、底填料注入和固化等工艺流程；这反过来又消除了中间层,并使异构集成的实现更加简单。并且，扇出技术还可以提供比其他封装类型更多I/O的小尺寸封装。
介绍完扇出晶圆级封装(FOWLP)，那集成式FanOut技术（InFO）就可以更好理解了：
我们可以说：集成式FanOut技术（InFO）是台积电在FOWLP工艺上的集成。
也可以理解为多个芯片Fan-Out工艺的集成，而FOWLP则偏重于Fan-Out封装工艺本身。InFO给予了多个芯片集成的空间，可应用于射频和无线芯片的封装，处理器和基带芯片封装，图形处理器和网络芯片的封装。
尽管台积电在近5年间吃尽了全世界大厂的优质订单，也一次又一次地挖掘出了半导体行业更大的金矿；
但台积电的期望可能不仅于此：
今年2月的最新消息：台积电董事会最近批准了约209.4亿美元的资本支出，用于先进工艺产能的建设和升级，成熟和特殊工艺、先进封装的产能建设，以及晶圆厂的建设和设施系统安装。