光刻工艺是指集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。
光刻工艺可以理解为使用光刻技术进行某一类加工的一种工艺:而光刻技术是则指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(即光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。典型的光刻工艺流程包括衬底制备、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜腐蚀、去胶等。在光刻中主要使用工具及材料为光掩膜、光刻机及光刻胶。
光刻工艺:各步骤环环相扣，光刻机代表产线先进程度
底膜准备:主要是清洗和脱水。污染物会减弱光刻胶与硅片之间附着力，彻底的清洗可以提升硅片与光刻胶之间黏附性。
旋转涂胶:通过旋转硅片方式实现。不同光刻胶要求不同涂胶工艺参数，包括旋转速度、胶厚度和温度等。
软烘:通过烘烤提高光刻胶与硅片黏附性及光刻胶厚度均匀性，利于后续刻蚀工艺几何尺寸精密控制。
对准与曝光:将掩膜版图形与硅片已有对准，用特定光照射，激活光刻胶中光敏成分，从而将掩膜版图形转移到光刻胶。
曝光后烘:通过加热让光刻胶中光化学反应充分完成，弥补曝光强度不足问题，并减少光刻胶显影后因驻波效应产生纹路。
显影与冲洗:将曝光光刻胶溶解清除，市光掩膜图形浮现在光刻胶。坚膜:将显影后的光刻胶中剩余溶剂、显影液、水及其他不必要残留成分通过加热蒸发去除，提高光刻胶与硅衬底黏附性及光刻胶抗刻蚀能力。
显影检测:即检查显影后光刻胶图形缺陷。利用图像识别技术，自动扫描显影后芯片图形，与预存无缺陷标准图形进行比对，若发现有不同之处就视为存在缺陷。
THE END