1．CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。
FZ法：即悬浮区融法。将一条长度50-100cm的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化，然后把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。
CZ法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好的控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长高电阻率单晶。
FZ法优点：①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较CZ法高。②无需坩埚、石墨托，污染少③高纯度、高电阻率、低氧、低碳④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。缺点：直径不如CZ法，熔体与晶体界面复杂，很难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。
MCZ：改进直拉法优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀性
2．晶圆的制造步骤【填空】
答：1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。
2、切片
3、磨片和倒角
4、刻蚀
5、化学机械抛光
3.列出单晶硅最常使用的两种晶向。【填空】
答：111和100.
4.说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积的工艺流程。
答：在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。
5.氢离子注入键合SOI晶圆的方法
答：1、对晶圆A清洗并生成一定厚度的SO2层。2、注入一定的H形成富含H的薄膜。3、晶圆A翻转并和晶圆B键合，在热反应中晶圆A的H脱离A和B键合。4、经过CMP和晶圆清洗就形成键合SOI晶圆
6.列出三种外延硅的原材料，三种外延硅掺杂物【填空】
7、名词解释：CZ法提拉工艺、FZ法工艺、SOI、HOT(混合晶向)、应变硅
答：CZ法：直拉单晶制造法。FZ法：悬浮区融法。SOI：在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。HOT：使用选择性外延技术，可以在晶圆上实现110和100混合晶向材料。应变硅：通过向单晶硅施加应力，硅的晶格原子将会被拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。
第五章热处理工艺
1.列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？
答：1、原生氧化层2、屏蔽氧化层3、遮蔽氧化层4、场区和局部氧化层5、衬垫氧化层6、牺牲氧化层7、栅极氧化层8、阻挡氧化层
2.栅氧化层生长的典型干法氧化工艺流程
答：1、850度闲置状态通入吹除净化氮气。2、通入工艺氮气充满炉管。3、将石英或碳化硅晶圆载舟缓慢推入炉管中4、以大约10度每分钟升温。5、工艺氮气气流下稳定温度。6、关闭氮气，通入氧气和氯化氢，在晶圆表面生成SO2薄膜。7、当氧化层达到厚度时，关掉氧气和氯化氢，通入氮气，进行氧化物退火。8、工艺氮气气流下降温。9、工艺氮气气流下将晶舟拉出，闲置状态下吹除净化氮气。
3.影响扩散工艺中杂质分布的因素
4.氮化硅在IC芯片上的用途
答：1、硅局部氧化形成过程中，作为阻挡氧气扩散的遮蔽层。2、作为化学抛光的遮挡层。3、用于形成侧壁空间层、氧化物侧壁空间层的刻蚀停止层或空间层。4、在金属淀积之前，作为掺杂物的扩散阻止层。5、作为自对准工艺的刻蚀停止层。
5.离子注入后的RTA流程
答：1、晶圆进入2、温度急升3、温度趋稳4、退火5、晶圆冷却6、晶圆退出
6.为什么晶体晶格离子注入工艺后需要高温退火？使用RTA退火有什么优点【填空】
7.SiO2-Si界面中存在几种电荷？对器件性能有哪些影响？工艺上如何降低它们的密度【综合】
8.扩散掺杂工艺的三个步骤【填空】
答：1、晶圆清洗。2、生长遮蔽氧化层3、光刻4、刻蚀5、去光刻胶6、清洗7、掺杂氧化物淀积8、覆盖氧化反应9、掺杂物驱入
9.名词解释：结深、退火、RTP、RTA、RTO、合金化热处理
答：结深：如果扩散杂质与硅衬底原有杂质的导电类型不同，在两种杂质浓度的相等处会形成PN结，此深度为结深。
RTA：快速加热退火系统。高温退火消除损伤恢复单晶结构并激活掺杂原子
RTO：快速加热氧化。
合金化热处理：利用热能使不同原子彼此结合成化学键而形成金属合金的一种加热工艺。