FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。
发明人
英特尔公布的FinFET的电子显微镜照片
工作原理
FinFET闸长已可小于25纳米，未来预期可以进一步缩小至9纳米，约是人类头发宽度的1万分之1。由于在这种导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。FinFET源自于传统标准的晶体管—场效晶体管(Field-EffectTransistor；FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。[2]
发展状态
在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET，使用在其22纳米节点的工艺上[3]。从IntelCorei7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低，面积小的优点，台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）等主要半导体代工已经开始计划推出自己的FinFET晶体管[4]，为未来的移动处理器等提供更快，更省电的处理器。从2012年起，FinFET已经开始向20纳米节点和14纳米节点推进。
FinFET和普通CMOS的区别
在今日，CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件，尤其是片幅规格较大的单反数码相机。
SOI和体硅FinFET的比较
本文比较了SOI和体硅FinFET器件在性能、加工工艺及其成本上的差异。如果要使SOI和体硅的FinFET器件具有相类似的性能，体硅FinFET器件的制备流程将更为复杂。在SOI晶圆上，氧化埋层隔离了分立的晶体管，而在体硅器件中，隔离作用则必须通过晶圆工艺来形成。我们将证明，由于体硅FinFET工艺更为复杂，使得器件的差异性达到SOI的140%～160%，并会对制造和工艺控制产生严峻的挑战。虽然SOI基片更为昂贵一些，但更为复杂的体硅FinFET工艺成本的增加大体上已抵消了这部分开销，从而使得在大批量生产时其成本能与体硅工艺大体上相当。
当半导体业界向22nm技术节点挺进时，一些制造厂商已经开始考虑如何从平面CMOS晶体管向三维（3D）FinFET器件结构的过渡问题。与平面晶体管相比，FinFET器件改进了对沟道的控制，从而减小了短沟道效应。平面晶体管的栅极位于沟道的正上方，而FinFET器件的栅极则是三面包围着沟道，能从两边来对沟道进行静电控制。