第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、金刚石，目前已实现商业化应用的主要为碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)两类，具体用途如下：
2、氮化镓定义
——定义
氮化镓(GaN)是一种宽禁带化合物半导体材料，其禁带宽度为3.4eV，与第一代、第二代半导体材料相比，它具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。
——应用领域
氮化镓器件在5G通信、新能源汽车、消费电子等领域具有广泛的应用。在5G通信领域，氮化镓功率放大器(PA)能够显著提高信号传输效率和系统性能;在新能源汽车领域，氮化镓充电器和逆变器能够提高充电速度和驱动效率;在消费电子领域，氮化镓LED具有高效、节能、环保等优点，已广泛应用于照明、显示等领域。
3、氮化镓产业链企业梳理
4、商业化进程：国产GaN射频产品加快向民用市场渗透
2022年，国内12英寸Si基GaNHEMT外延技术获得突破，苏州纳维、中镓半导体持续开展GaN衬底研发和产业化，8英寸Si基GaN产品实现量产，国产GaN射频产品加快向民用市场渗透。
5、市场现状：外延能高速增长
2022年，GaN产能增加31%。2022年，国内GaN外延产能达到100.2万片/年(折合4英寸)，相较于2021年增加40.7%。初步统计2023年产能在125万片/年左右;芯片/器件2022年产能达到76万片/年，相较于2021年增加31%，初步统计2023年产能达82万片/年。
6、市场趋势：应用领域将进一步拓展
未来，随着新材料、新工艺的不断涌现和技术的不断升级迭代，氮化镓行业将实现更高水平的技术创新，应用场景将进一步拓展。
本报告前瞻性、适时性地对第三代半导体材料行业的发展背景、供需情况、市场规模、竞争格局等行业现状进行分析，并结合多年来第三代半导体材料行业发展轨迹及实践经验，对...